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STGB35N35LZ-1价格
参考价格：￥8.1803
型号：STGB35N35LZ-1 品牌：STMicroelectronics 备注：这里有STGB35N35LZ-1多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，STGB35N35LZ-1批发/采购报价，STGB35N35LZ-1行情走势销售排行榜，STGB35N35LZ-1报价。| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
STGB35N35LZ-1 | Automotive-grade345VinternallyclampedIGBT,EAS450mJ Description ThisapplicationspecificIGBTutilizesthemostadvancedPowerMESH™technology.Thebuilt-inZenerdiodesbetweengate-collectorandgateemitterprovideovervoltageprotectioncapabilities.Thedevicealsoexhibitslowon-statevoltagedropandlowthresholddriveforuseinautomot | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团 |  |   |
STGB35N35LZ-1 | 封装/外壳：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA 包装：管件 描述：IGBT 345V 40A 176W I2PAK 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团 | | |
STGB35N35LZ-1产品属性
- 类型
描述
- 型号
STGB35N35LZ-1
- 功能描述
IGBT 晶体管 345V INTERNALLY CLAMPED IGBT
- RoHS
否
- 制造商
Fairchild Semiconductor
- 配置
集电极—发射极最大电压
- VCEO
650 V
- 集电极—射极饱和电压
2.3 V
- 栅极/发射极最大电压
20 V 在25
- C的连续集电极电流
150 A
- 栅极—射极漏泄电流
400 nA
- 功率耗散
187 W
- 封装/箱体
TO-247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
24+ |
NA/ |
26250 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
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ST |
15+ |
TO-262 |
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ST/意法 |
24+ |
TO-262 |
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只做原厂渠道 可追溯货源 |
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原装正品现货
2022-5-7STF40NF20 ST/意法 21+ TO-220F
https://hfx03.114ic.com/
2022-2-17
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