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STD11价格

参考价格：￥4.8898

型号：STD11N50M2 品牌：STMicroelectronics 备注：这里有STD11多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，STD11批发/采购报价，STD11行情走势销售排行榜，STD11报价。

型号	功能描述	生产厂家&企业
STD110NH02L	N-CHANNEL 24V - 0.0044 ohm - 80A DPAK STripFET??III POWER MOSFET Description ThisdeviceutilizesthelatestadvanceddesignrulesofST’sproprietarySTripFET™technology.ThisissuitablefotthemostdemandingDC-DCconverterapplicationwherehighefficiencyistobeachieved. Generalfeatures ■RDS(on)*Qgindustry’sbenchmark ■Conductionlos	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团
STD11N65M2	Extremely low gate charge Description ThesedevicesareN-channelPowerMOSFETsdevelopedusinganewgenerationofMDmesh™technology:MDmeshIIPlus™lowQg.TheserevolutionaryPowerMOSFETsassociateaverticalstructuretothecompanysstriplayouttoyieldoneoftheworldsloweston-resistanceandgatecharge.They	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团
STD11N65M2	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=7.0A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=650V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.68Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
STD11N65M5	N-channel 650 V, 0.43 typ., 9 A MDmesh V Power MOSFET in D2PAK, DPAK, TO-220FP, TO-220 and IPAK packages Description ThesedevicesareN-channelMDmesh™VPowerMOSFETsbasedonaninnovativeproprietaryverticalprocesstechnology,whichiscombinedwithSTMicroelectronics’well-knownPowerMESH™horizontallayoutstructure.Theresultingproducthasextremelylowonresistance,whichisunmatcheda	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团
STD11N65M5	N-channel 650 V, 0.43 廓 typ., 9 A MDmesh??V Power MOSFET in D2PAK, DPAK, TO-220FP, TO-220 and IPAK packages Description ThesedevicesareN-channelMDmesh™VPowerMOSFETsbasedonaninnovativeproprietaryverticalprocesstechnology,whichiscombinedwithSTMicroelectronics’well-knownPowerMESH™horizontallayoutstructure.Theresultingproducthasextremelylowonresistance,whichisunmatcheda	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团
STD11NM50N	N-channel 500 V, 0.4, 8.5 A MDmesh II Power MOSFET in DPAK, TO-220FP and TO-220 Description ThesedevicesaremadeusingthesecondgenerationofMDmesh™technology.ThisrevolutionaryPowerMOSFETassociatesanewverticalstructuretothecompany’sstriplayouttoyieldoneoftheworld’sloweston-resistanceandgatecharge.Itisthereforesuitableforthemostdemanding	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团
STD11NM50N	N-channel 500 V, 0.4 廓, 8.5 A MDmesh??II Power MOSFET in DPAK, TO-220FP and TO-220 Description ThesedevicesaremadeusingthesecondgenerationofMDmesh™technology.ThisrevolutionaryPowerMOSFETassociatesanewverticalstructuretothecompany’sstriplayouttoyieldoneoftheworld’sloweston-resistanceandgatecharge.Itisthereforesuitableforthemostdemanding	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团
STD11NM60N	N-channel 600V-0.37ohm-10A-TO-220-TO-220FP- IPAK-DPAK Second generation MDmesh Power MOSFET Description ThisseriesofdevicesisdesignedusingthesecondgenerationofMDmesh™technology.ThisrevolutionaryPowerMOSFETassociatesanewverticalstructuretothecompany’sstriplayouttoyieldoneoftheworld’sloweston-resistanceandgatecharge.Itisthereforesuitableforthemo	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团
STD11NM60N	N-channel 600V - 0.37廓 - 10A - TO-220/FP- I/I2PAK - DPAK second generation MDmesh??Power MOSFET Description ThisseriesofdevicesisdesignedusingthesecondgenerationofMDmesh™technology.ThisrevolutionaryPowerMOSFETassociatesanewverticalstructuretothecompany’sstriplayouttoyieldoneoftheworld’sloweston-resistanceandgatecharge.Itisthereforesuitableforthemo	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团
STD11NM60N	N-channel 600 V, 0.37 廓, 10 A MDmesh??II Power MOSFET TO-220, TO-220FP, I2PAK, IPAK, DPAK, D2PAK Description ThisseriesofdevicesisdesignedusingthesecondgenerationofMDmesh™technology.ThisrevolutionaryPowerMOSFETassociatesanewverticalstructuretothecompany’sstriplayouttoyieldoneoftheworld’sloweston-resistanceandgatecharge.Itisthereforesuitableforthemo	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团
STD11NM60N-1	N-channel 600V-0.37ohm-10A-TO-220-TO-220FP- IPAK-DPAK Second generation MDmesh Power MOSFET Description ThisseriesofdevicesisdesignedusingthesecondgenerationofMDmesh™technology.ThisrevolutionaryPowerMOSFETassociatesanewverticalstructuretothecompany’sstriplayouttoyieldoneoftheworld’sloweston-resistanceandgatecharge.Itisthereforesuitableforthemo	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团
STD11NM60N-1	N-channel 600V - 0.37廓 - 10A - TO-220/FP- I/I2PAK - DPAK second generation MDmesh??Power MOSFET Description ThisseriesofdevicesisdesignedusingthesecondgenerationofMDmesh™technology.ThisrevolutionaryPowerMOSFETassociatesanewverticalstructuretothecompany’sstriplayouttoyieldoneoftheworld’sloweston-resistanceandgatecharge.Itisthereforesuitableforthemo	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团
STD11NM60N-1	N-channel 600 V, 0.37 廓, 10 A MDmesh??II Power MOSFET TO-220, TO-220FP, I2PAK, IPAK, DPAK, D2PAK Description ThisseriesofdevicesisdesignedusingthesecondgenerationofMDmesh™technology.ThisrevolutionaryPowerMOSFETassociatesanewverticalstructuretothecompany’sstriplayouttoyieldoneoftheworld’sloweston-resistanceandgatecharge.Itisthereforesuitableforthemo	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团
STD11NM60ND	N-channel 600V - 0.37廓 - 10A - FDmesh??II Power MOSFET I2PAK, TO-220, TO-220FP, IPAK, DPAK Description ThedeviceisanN-channelFDmesh™IIPowerMOSFETthatbelongstothesecondgenerationofMDmesh™technology.ThisrevolutionaryPowerMOSFETassociatesanewverticalstructuretothecompanysstriplayoutandassociatesalladvantagesofreducedon-resistanceandfastswitchingwi	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团
STD11NM65N	N-channel 650 V, 0.425 廓 typ., 11 A MDmesh?줚I Power MOSFET in DPAK, TO-220FP, I짼PAKFP and TO-220 packages Description ThesedevicesareN-channelPowerMOSFETsdevelopedusingthesecondgenerationofMDmesh™technology.ThisrevolutionaryPowerMOSFETassociatesaverticalstructuretothecompany’sstriplayouttoyieldoneoftheworld’sloweston-resistanceandgatecharge.Itisthereforesuit	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团
STD11NM65N	N-channel 650 V, 0.425 ohm typ., 11 A MDmesh ll Power MOSFET Description ThesedevicesareN-channelPowerMOSFETsdevelopedusingthesecondgenerationofMDmesh™technology.ThisrevolutionaryPowerMOSFETassociatesaverticalstructuretothecompany’sstriplayouttoyieldoneoftheworld’sloweston-resistanceandgatecharge.Itisthereforesuit	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团
STD110N02R	Power MOSFET 文件：102.59 Kbytes Page：6 Pages	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
STD110N02RT4G	Power MOSFET 文件：102.59 Kbytes Page：6 Pages	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
STD110N8F6	Very low gate charge 文件：632.6 Kbytes Page：16 Pages	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团
STD110NH02L	N-channel 24V - 0.0044ohm - 80A - DPAK STripFET TM III Power MOSFET 文件：463.1 Kbytes Page：15 Pages	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团
STD110NH02L_06	N-channel 24V - 0.0044ohm - 80A - DPAK STripFET TM III Power MOSFET 文件：463.1 Kbytes Page：15 Pages	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团
STD110NH02LT4	N-channel 24V - 0.0044ohm - 80A - DPAK STripFET TM III Power MOSFET 文件：463.1 Kbytes Page：15 Pages	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团
STD116	Thyristor-Diode Modules, Diode-Thyristor Modules 文件：1.72485 Mbytes Page：4 Pages	SIRECTSirectifier Global Corp. 矽莱克半导体深圳市矽莱克半导体有限公司
STD116	Thyristor-Diode Modules, Diode-Thyristor Modules 文件：500.05 Kbytes Page：4 Pages	SIRECTIFIERSirectifier Semiconductors 矽莱克电子江苏矽莱克电子科技有限公司
STD116GK08	Thyristor-Diode Modules, Diode-Thyristor Modules 文件：500.05 Kbytes Page：4 Pages	SIRECTIFIERSirectifier Semiconductors 矽莱克电子江苏矽莱克电子科技有限公司
STD116GK08	Thyristor-Diode Modules, Diode-Thyristor Modules 文件：1.72485 Mbytes Page：4 Pages	SIRECTSirectifier Global Corp. 矽莱克半导体深圳市矽莱克半导体有限公司
STD116GK08	Thyristor-Diode Modules 文件：248.58 Kbytes Page：4 Pages	SIRECTIFIERSirectifier Semiconductors 矽莱克电子江苏矽莱克电子科技有限公司
STD116GK08B	Thyristor-Diode Modules 文件：473.18 Kbytes Page：4 Pages	SIRECTIFIERSirectifier Semiconductors 矽莱克电子江苏矽莱克电子科技有限公司
STD116GK12	Thyristor-Diode Modules, Diode-Thyristor Modules 文件：500.05 Kbytes Page：4 Pages	SIRECTIFIERSirectifier Semiconductors 矽莱克电子江苏矽莱克电子科技有限公司
STD116GK12	Thyristor-Diode Modules, Diode-Thyristor Modules 文件：1.72485 Mbytes Page：4 Pages	SIRECTSirectifier Global Corp. 矽莱克半导体深圳市矽莱克半导体有限公司
STD116GK12	Thyristor-Diode Modules 文件：248.58 Kbytes Page：4 Pages	SIRECTIFIERSirectifier Semiconductors 矽莱克电子江苏矽莱克电子科技有限公司
STD116GK12B	Thyristor-Diode Modules 文件：473.18 Kbytes Page：4 Pages	SIRECTIFIERSirectifier Semiconductors 矽莱克电子江苏矽莱克电子科技有限公司
STD116GK14	Thyristor-Diode Modules, Diode-Thyristor Modules 文件：500.05 Kbytes Page：4 Pages	SIRECTIFIERSirectifier Semiconductors 矽莱克电子江苏矽莱克电子科技有限公司
STD116GK14	Thyristor-Diode Modules, Diode-Thyristor Modules 文件：1.72485 Mbytes Page：4 Pages	SIRECTSirectifier Global Corp. 矽莱克半导体深圳市矽莱克半导体有限公司
STD116GK14	Thyristor-Diode Modules 文件：248.58 Kbytes Page：4 Pages	SIRECTIFIERSirectifier Semiconductors 矽莱克电子江苏矽莱克电子科技有限公司
STD116GK14B	Thyristor-Diode Modules 文件：473.18 Kbytes Page：4 Pages	SIRECTIFIERSirectifier Semiconductors 矽莱克电子江苏矽莱克电子科技有限公司
STD116GK16	Thyristor-Diode Modules, Diode-Thyristor Modules 文件：500.05 Kbytes Page：4 Pages	SIRECTIFIERSirectifier Semiconductors 矽莱克电子江苏矽莱克电子科技有限公司
STD116GK16	Thyristor-Diode Modules, Diode-Thyristor Modules 文件：1.72485 Mbytes Page：4 Pages	SIRECTSirectifier Global Corp. 矽莱克半导体深圳市矽莱克半导体有限公司
STD116GK16	Thyristor-Diode Modules 文件：248.58 Kbytes Page：4 Pages	SIRECTIFIERSirectifier Semiconductors 矽莱克电子江苏矽莱克电子科技有限公司
STD116GK16B	Thyristor-Diode Modules 文件：473.18 Kbytes Page：4 Pages	SIRECTIFIERSirectifier Semiconductors 矽莱克电子江苏矽莱克电子科技有限公司
STD116GK18	Thyristor-Diode Modules, Diode-Thyristor Modules 文件：500.05 Kbytes Page：4 Pages	SIRECTIFIERSirectifier Semiconductors 矽莱克电子江苏矽莱克电子科技有限公司
STD116GK18	Thyristor-Diode Modules, Diode-Thyristor Modules 文件：1.72485 Mbytes Page：4 Pages	SIRECTSirectifier Global Corp. 矽莱克半导体深圳市矽莱克半导体有限公司
STD116GK18	Thyristor-Diode Modules 文件：248.58 Kbytes Page：4 Pages	SIRECTIFIERSirectifier Semiconductors 矽莱克电子江苏矽莱克电子科技有限公司
STD116GK18B	Thyristor-Diode Modules 文件：473.18 Kbytes Page：4 Pages	SIRECTIFIERSirectifier Semiconductors 矽莱克电子江苏矽莱克电子科技有限公司
STD116GKXX	Thyristor-Diode Modules 文件：248.58 Kbytes Page：4 Pages	SIRECTIFIERSirectifier Semiconductors 矽莱克电子江苏矽莱克电子科技有限公司
STD116GKXXB	Thyristor-Diode Modules 文件：473.18 Kbytes Page：4 Pages	SIRECTIFIERSirectifier Semiconductors 矽莱克电子江苏矽莱克电子科技有限公司
STD11N50M2	Low gate input resistance 文件：991.8 Kbytes Page：19 Pages	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团
STD11N60DM2	N-channel 600 V, 0.370 (ohm) typ., 10 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package 文件：822.24 Kbytes Page：15 Pages	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团
STD11N60M2-EP	N-channel 600 V, 0.550 (ohm) typ., 7.5 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a DPAK package 文件：807.13 Kbytes Page：16 Pages	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团
STD11N65M5	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：306.09 Kbytes Page：2 Pages	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
STD11NM50N	Isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：250.6 Kbytes Page：2 Pages	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
STD11NM60N	N-channel 600 V - 0.37 廓 - 10 A - TO-220 - TO-220FP- I2PAK - IPAK DPAK - D2PAK second generation MDmesh??Power MOSFET 文件：623.95 Kbytes Page：21 Pages	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团
STD11NM60N	isc N-Channel Mosfet Transistor 文件：323.32 Kbytes Page：2 Pages	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
STD11NM60N-1	N-channel 600 V - 0.37 廓 - 10 A - TO-220 - TO-220FP- I2PAK - IPAK DPAK - D2PAK second generation MDmesh??Power MOSFET 文件：623.95 Kbytes Page：21 Pages	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团
STD11NM60N-1	isc N-Channel Mosfet Transistor 文件：331.58 Kbytes Page：2 Pages	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
STD11NM60N-1_08	N-channel 600 V - 0.37 廓 - 10 A - TO-220 - TO-220FP- I2PAK - IPAK DPAK - D2PAK second generation MDmesh??Power MOSFET 文件：623.95 Kbytes Page：21 Pages	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团
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STD11NM60ND_10	N-channel 600 V, 0.37 廓, 10 A, FDmesh??II Power MOSFET I2PAK, TO-220, TO-220FP, IPAK, DPAK 文件：756.46 Kbytes Page：19 Pages	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团
STD11NM65N	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：323.45 Kbytes Page：2 Pages	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

STD11产品属性

类型
描述
型号
STD11
制造商
IMO Precision Controls Ltd
功能描述
TIMER ON-DELAY 6HR 230VAC

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更新时间：2025-8-3 16:36:00

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市坤融电子科技有限公司	STD110NH02LT4	ST/意法	24+	TO-252	2500	只做原厂渠道可追溯货源	询价
深圳市恒创达实业有限公司	STD110NH02LT4	ST	17+	TO-252	6200		询价
深圳市一线半导体有限公司	STD110NH02L	ST	24+	TO252DPAK	8866		询价
深圳市创新迹电子有限公司	STD110NH02L	ST	2022+	TO-252	48000	只做原装,原装,假一罚十	询价
艾睿（深圳）半导体有限公司	STD110NH02LT4	ST	2447	SOT252	100500	一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货	询价
深圳市昂芯微科技有限公司	STD110NH02LT4	ST	23+	TO252	6996	只做原装正品现货	询价
中天科工半导体（深圳）有限公司	STD110NH02LT4	ST	20+	TO252DPAK	36900	原装优势主营型号-可开原型号增税票	询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	STD110NH02L	ST	22+	TO252DPAK	6000	十年配单,只做原装	询价
深圳市南科功率半导体有限公司	STD110NH02LT4	NK/南科功率	2025+	TO-252	986966	国产	询价
深圳市斌腾达科技有限公司	STD110NH02LT4	STMicroelectronics	21+	DPAK	2500	100%进口原装!长期供应!绝对优势价格(诚信经营)!	询价

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2021-9-18
STD110N8F6
製造商:STMicroelectronics 產品類型:MOSFET 技術:Si 安裝風格:SMD/SMT 封裝/外殼:TO-252-3 晶體管極性:N-Channel 通道數:1Channel Vds-漏-源擊穿電壓:80V Id-C連續漏極電流:80A RdsOn-漏-源電阻:6.5mOhms Vgs-閘極-源極電壓:-20V，+20V Vgsth-門源門限電壓:4.5V
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