STD110N8F6

时间:2021-6-9 15:14:00

製造商: STMicroelectronics 產品類型: MOSFET 技術: Si 安裝風格: SMD/SMT 封裝/外殼: TO-252-3 晶體管極性: N-Channel 通道數: 1 Channel Vds - 漏-源擊穿電壓: 80 V Id - C連續漏極電流: 80 A Rds On - 漏-源電阻: 6.5 mOhms Vgs - 閘極-源極電壓: - 20 V, + 20 V Vgs th - 門源門限電壓 : 4.5 V

製造商: STMicroelectronics

產品類型: MOSFET

技術: Si

安裝風格: SMD/SMT

封裝/外殼: TO-252-3

晶體管極性: N-Channel

通道數: 1 Channel

Vds - 漏-源擊穿電壓: 80 V

Id - C連續漏極電流: 80 A

Rds On - 漏-源電阻: 6.5 mOhms

Vgs - 閘極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th - 門源門限電壓 : 4.5 V

Qg - 閘極充電: 150 nC

最低工作溫度: - 55 C

最高工作溫度: + 175 C

Pd - 功率消耗 : 167 W

通道模式: Enhancement

公司名稱: STripFET

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

封裝: Reel

配置: Single

高度: 2.4 mm

長度: 10.1 mm

產品: Power MOSFETs

系列: STD110N8F6

晶體管類型: 1 N-Channel

類型: STripFET

寬度: 6.6 mm

品牌: STMicroelectronics

下降時間: 48 ns

產品類型: MOSFET

上升時間: 61 ns

原廠包裝數量: 2500

子類別: MOSFETs

標準斷開延遲時間: 162 ns

標準開啟延遲時間: 24 ns

每件重量: 330 mg