MMBT5551LT1G 是安森美半导体推出的一款 NPN 型硅高压晶体管，采用 SOT-23 封装，符合 AEC-Q101 要求，适用于汽车、工业等领域。

参数：

集射极击穿电压：160V。

集电极电流：600mA。

DC 电流增益：250。

Vce 饱和压降：200mV。

功率耗散：225mW。

工作温度：-55℃~+150℃。

引脚数：3Pin。

产品特点：

高电压承受能力：集电极 - 发射极电压和集电极 - 基极电压最大值分别可达 160V 和 180V，能在高压环境下稳定工作。

低饱和压降：Vce 饱和压降仅为 200mV，可降低能量损耗，提高电路效率。

符合环保标准：无卤素，符合 RoHS 标准，满足环保要求。

湿气敏感性低：湿气敏感性等级为 1（无限），在存储和使用过程中受湿气影响小，可靠性高。

应用领域：

小信号放大：可用于音频、射频等小信号放大电路，凭借较高的电压和电流容量，能展现出良好的放大性能。

开关电路：适用于低功率开关电路，如继电器驱动、LED 驱动等，可实现电路的通断控制。

振荡器：能够用于构建晶体振荡器、RC 振荡器等，为电路提供稳定的振荡信号。

电流源设计：可用于设计恒流源电路，为电子设备和电路提供稳定的电流。

电压比较器：可构建简单的电压比较器电路，用于检测和比较电压信号。