参数：
封装形式：采用 SOT-23-3 封装，属于表面贴装（SMD/SMT）类型，节省电路板空间，便于在多层电路板上布局。
晶体管极性：P 沟道。
栅源极击穿电压：30V。
漏极 - 栅极电压：25V。
栅极 - 源极电压：25V。
最大功率：225mW。
工作温度范围：-55°C~150°C。
性能特点：
低功耗：具有较低的漏极电流和导通电阻，在低电压和低电流条件下能量损耗小，有助于延长电池寿命，适合绿色能源和便携设备设计。
高可靠性：通过严格的温度和电气特性测试，能在 - 55°C 至 150°C 的广泛温度范围内稳定工作，可降低因器件故障造成的系统风险。
优异的线性特性：该 JFET 提供出色的增益特性和线性响应，适合高精度信号处理应用。
应用领域：
消费电子：可用于电视、音响设备等家庭电器中。
工业设备：适用于传感器、控制器和自动化系统等。
汽车电子：常用于动力管理系统、车载信息娱乐系统和安全系统。
通信设备：可应用于信号放大、开关和滤波器等电路。
医疗设备：可用于传感器接口和信号处理电路。
环保特性：该器件不含铅、无卤素 / 无溴化阻燃剂（BFR），符合 RoHS 标准，有利于环境保护和满足相关环保法规要求。
