时间：2022-7-5 9:20:00
类别
分立半导体产品
晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
制造商
STMicroelectronics
系列
HB
包装
管件
产品状态
在售
IGBT 类型
沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）
650 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
80 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)
160 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
2V @ 15V，40A
功率 - 最大值
283 W
开关能量
498μJ（开），363μJ（关）
输入类型
标准
栅极电荷
210 nC
25°C 时 Td（开/关）值
40ns/142ns
测试条件
400V，40A，5 欧姆，15V
反向恢复时间 (trr)
62 ns
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-247-3
供应商器件封装
TO-247 长引线
基本产品编号
STGWA40
| 型号查询 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
High speed switching series | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团 |   | ||
Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 40 A high speed | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团 | | ||
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Trench gate field-stop 650 V, 40 A high speed HB series IGBT | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团 | | ||
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| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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