STGWA40H65DFB

时间:2022-7-5 9:20:00

STGWA40H65DFB

类别

分立半导体产品

晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

制造商

STMicroelectronics

系列

HB

包装

管件

产品状态

在售

IGBT 类型

沟槽型场截止

电压 - 集射极击穿(最大值)

650 V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值)

80 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm)

160 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)

2V @ 15V,40A

功率 - 最大值

283 W

开关能量

498μJ(开),363μJ(关)

输入类型

标准

栅极电荷

210 nC

25°C 时 Td(开/关)值

40ns/142ns

测试条件

400V,40A,5 欧姆,15V

反向恢复时间 (trr)

62 ns

工作温度

-55°C ~ 175°C(TJ)

安装类型

通孔

封装/外壳

TO-247-3

供应商器件封装

TO-247 长引线

基本产品编号

STGWA40

型号查询 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作

High speed switching series

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体集团

Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 40 A high speed

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2026-1-1 8:12:00
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