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STGWA40H65FB

Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 40 A high speed

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意法半导体

STGWA40H65FB

封装/外壳:TO-247-3 包装:管件 描述:IGBT 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

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Trench gate field-stop 650 V, 40 A high speed HB series IGBT

Features • Maximum junction temperature: TJ = 175 °C • High speed switching series • Minimized tail current • Low saturation voltage: VCE(sat) = 1.6 V (typ.) @ IC = 40 A • Tight parameter distribution • Safe paralleling • Positive VCE(sat) temperature coefficient • Low thermal resistance

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Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 40 A high speed

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更新时间:2025-8-17 17:10:00
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