SIS110DN-T1-GE3

时间:2022-10-20 14:41:00

SIS110DN-T1-GE3

制造商: Vishay

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: PowerPAK-1212-8

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 100 V

Id-连续漏极电流: 14.2 A

Rds On-漏源导通电阻: 54 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V

Qg-栅极电荷: 13 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 24 W

通道模式: Enhancement

商标名: TrenchFET, PowerPAK

封装: Reel

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

商标: Vishay / Siliconix

配置: Single

下降时间: 5 ns

正向跨导 - 最小值: 25 S

产品类型: MOSFET

上升时间: 5 ns

系列: SIS

工厂包装数量: 3000

子类别: MOSFETs

典型关闭延迟时间: 14 ns

典型接通延迟时间: 10 ns

单位重量: 1 g

型号查询 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作

N-Channel 100 V (D-S) MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半导体

2025-8-12 11:08:00
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