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STGWA50M65DF2

Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 50 A low loss

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意法半导体

STGWA50M65DF2

封装/外壳:TO-247-3 包装:管件 描述:TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

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意法半导体

STGWA50M65DF2

沟槽栅场截止IGBT,M系列,650 V、50 A,低损耗

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意法半导体

Automotive-grade trench gate field-stop 650 V, 50 A low-loss M series IGBT in a TO-247 long leads package

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更新时间:2026-1-4 23:01:00
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