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STGWA50M65DF2 | Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 50 A low loss 文件：971.19 Kbytes Page：16 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 |   | |
STGWA50M65DF2 | 封装/外壳：TO-247-3 包装：管件 描述：TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | | |
STGWA50M65DF2 | 沟槽栅场截止IGBT，M系列，650 V、50 A，低损耗 | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | | |
Automotive-grade trench gate field-stop 650 V, 50 A low-loss M series IGBT in a TO-247 long leads package | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | |
更新时间：2025-9-29 22:59:00
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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