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发布企业:深圳市凯睿晟科技有限公司时间:2022-5-10 22:38:00

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针对这种需求,新洁能生产出内阻小,抗过电流能力好的N沟道沟槽工艺MOS管——NCE80H12,NCE80H12的导通电阻小于6mΩ,输出电流可达120A,电机扭矩较好,。

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AO4832 AO4838 CEM3138 DMG4800LSD-13 EMB17A03G FDS6982-NL 。

有的MOSFET内部会有个二极管,这是体二极管,或者叫寄生二极管、续流二极管。

STC5NF20V STG8205 STG8810 STN8205AAST8RG TM8205FC 。

FDS6990-NL HAT2092R HAT2092RJ IRF8313TRPBF MDS5601URH 。

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先讲讲MOS/CMOS集成电路 MOS集成电路特点:制造工艺比较简单、成品率较高、功耗低、组成的逻辑电路比较简单,集成度高、抗干扰能力强,特别适合于大规模集成电路。

BYP342-X BYJ3411 BYH3413 BYH345 BYJ345 。

BYJ337 BYN3324 BYG3333 BYN3330 BYS3312 。

1、P沟道mos管作为开关,栅源的阀值为-0.4V,当栅源的电压差为-0.4V就会使DS导通,如果S为2.8V,G为1.8V,那么GS=-1V,mos管导通,D为2.8V 如果S为2.8V,G为2.8V,VGSw 那么mos管不导通,D为0V,所以,如果2.8V连接到S,要mos管导通为系统供电,系统连接到D,利用G控制。

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NCE8205B NCE8205 NCE8205i NCE8205E NCE9926 。

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