bychip可替代FR5305导读
一般是金属(metal)—氧化物(oxide)—半导体(semiconductor)场效应晶体管,或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。什么是MOS管?这种基本的名词解释还是得用官方的话语说明一下: MOS,是MOSFET的缩写。MOSFET 金属-氧化物半导体场效应晶体管,简称金氧半场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)。
mos管是金属(metal)-氧化物(oxide)-半导体(semiconductor)场效应晶体管,或者称是金属-绝缘体(insulator)-半导体。
bychip可替代_FR5305
bychip可替代
VGS(最大栅源电压) 栅极能够承受的最大电压,栅极是MOS管最薄弱的地方,设计的时候得注意一下,加载栅极的电压不能超过这个最大电压。
VGS(th)(开启电压) 当外加栅极控制电压 VGS 超过 VGS(th) 时,漏区和源区的表面反型层形成了连接的沟道。此参数一般会随结温度的上升而有所降低。应用中,常将漏极短接条件下 ID 等于 1 毫安时的栅极电压称为开启电压。
所以现在芯片内部集成的几乎都是MOS管。 5、极强的大电流处理能力,可以方便地用作恒流源。 4、在电路设计上的灵活性大,栅偏压可正可负可零,三极管只能在正向偏置下工作,电子管只能在负偏压下工作; 4、低功耗、性能稳定、抗辐射能力强,制造成本低廉与使用面积较小、高整合度。MOS管特点 1、输入阻抗非常高,因为MOS管栅极有绝缘膜氧化物,甚至可达上亿欧姆,所以他的输入几乎不取电流,可以用作电子开关。 6、MOS管栅极很容易被静电击穿,栅极输入阻抗大,感应电荷很难释放,高压很容易击穿绝缘层,造成损坏。 2、导通电阻低,可以做到几个毫欧的电阻,极低的传导损耗,。 3、开关速度快,开关损耗低,特别适应PWM输出模式。
注:MOS管输出特性的恒流区(饱和区),相当于三极管的放大区。VGS≥VGS(th),且VDS>VGS-VGS(th),MOS管进入恒流区:恒流区在输出特性曲线中间的位置,电流ID基本不随VDS变化,ID的大小主要决定于电压VGS,所以叫做恒流区,也叫饱和区,当MOS用来做放大电路时就是工作在恒流区(饱和区)。
bychip可替代_FR5305
IRF7416TRPBF
金属栅极被置于氧化物层之上,而这层氧化物又被放置在半导体材料的表面上。
AM4902N-T1-PF、AO3402、AO3402、AO3414、AO3415、AO3416、AO3419、AO3421E、AO3460、AO4286 。
CSD17579Q3A、DMC2038LVT-7-F、DMG1012T、DMN3024LSD-13、DMP3020LSS-13、DMP3099L-7、DTU40P06、FDC5661N、FDC6306P、FDG6321C。
现在的小功率MOS管导通电阻一般在几十毫欧左右,几毫欧的也有。 MOS管 导通后都有导通电阻存在,这样电流就会在这个电阻上消耗能量,这部分消耗的能量叫做导通损耗。RDS(on)(漏源电阻) 导通时漏源间的最大阻抗,它决定了MOSFET导通时的消耗功率。这个值要尽可能的小,因为一旦阻值偏大,就会使得功耗变大。选择导通电阻小的MOS管会减小导通损耗。
bychip可替代_FR5305
事实上没有电流流过这个绝缘体,所以FET管的GATE电流非常小。场效应管通过投影 P沟道mos管符号 P沟道mos管符号一个电场在一个绝缘层上来影响流过晶体管的电流。
最普通的FET用一薄层二氧化硅来作为GATE极下的绝缘体。
文章来源: www.bychip.cn