bychip可替代APM1403ASC-TRL

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mos管是金属(metal)-氧化物(oxide)-半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属-绝缘体(insulator)-半导体。

在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。这样的器件被认为是对称的。

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VGS(最大栅源电压) 栅极能够承受的最大电压，栅极是MOS管最薄弱的地方，设计的时候得注意一下，加载栅极的电压不能超过这个最大电压。

我们先来看一下MOS管的输出特性曲线，MOS管的输出特性可以分为三个区：夹断区(截止区)、恒流区、可变电阻区。在一定的Vds下，D极电流 Id 的大小是与 G极电压Vgs有关的。

掺入的杂质越多，多子（空穴）的浓度就越高。在P型半导体中，空穴为多子，自由电子为少子，主要靠空穴导电。P型半导体又称空穴型半导体，是以带正电的空穴导电为主的半导体。

。对于N沟道增强型的MOS管，当Vgs >Vgs(th)时，MOS就会开始导通，如果在 D 极和 S 极之间加上一定的电压,就会有电流Id产生。

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DTU40P06

MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）是一种常用的半导体器件，广泛应用于各种电子设备中。MOS管是一种场效应管，其主要作用是在电路中实现信号放大、开关控制等功能。

FDS4435-NL 、2SJ168、2SJ245S、2SJ327-Z-E1-AZ、2SJ355、2SJ356、2SJ668、2SK1273、2SK1470 。

AO4407、AO4407A、AO4409、AO4421、AO4430、AO4435、AO4485、AO4485、AO4606、AO4611。

MOS管的基本原理是利用一个金属栅极、氧化物和半导体组成的结构来控制导体的电阻。在 MOS管中，半导体材料通常是硅。

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因为MOS管更小更省电，所以他们已经在很多应用场合取代了双极型晶体管。这种晶体管称为金属氧化物半导体(MOS)晶体管，或,金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)。

?场效应管(FET)，把输入电压的变化转化为输出电流的变化。FET的增益等于它的跨导， 定义为输出电流的变化和输入电压变化之比。

文章来源：www.bychip.cn