bychip可替代HM3401PR导读
金属极就是GATE,而半导体端就是backgate或者body。图示中的器件有一个轻掺杂P型硅做成的backgate。他们之间的绝缘氧化层称为gate dielectric(栅介质)。
所以通常提到NMOS和PMOS指的就是这两种。 结合下图与上面的内容也能解释为什么实际应用以增强型为主,主要还是电压为0的时候,D极和S极能否导通的问题。在实际应用中,以 增强型NMOS 和 增强型PMOS 为主。
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VGS(最大栅源电压) 栅极能够承受的最大电压,栅极是MOS管最薄弱的地方,设计的时候得注意一下,加载栅极的电压不能超过这个最大电压。
VGS>VGS(th) ,且VDS < VGS - VGS(th),MOS管进入可变电阻区: 可变电阻区在输出特性的最左边,Id随着Vds的增加而上升,两者基本上是线性关系,所以可以看作是一个线性电阻,当VGS不同电阻的阻值就会不同,所以在该区MOS管相当就是一个由VGS控制的可变电阻。
以P型半导体为衬底,在一个 低掺杂容度 的 P 型半导体上,通过扩散技术做出来2块 高掺杂容度 的 N 型半导体,引出去分别作为 源级(S) 和 漏极(D)。
PMOS的导通电阻大,发热大,相对NMOS来说不易通过大电流。我们通过原理分析可以得知,NMOS 是电子的移动,PMOS那就是空穴的移动,空穴的迁移率比电子低,尺寸与电压相等的条件下,PMOS的跨导小于 NMOS,形成空穴沟道比电子沟道更难。PMOS价格贵,厂商少,型号少。(相对而言,其实MOS管发展到现在,普通的应用 PMOS 和 NMOS 都有大量可方便选择的型号)。 PMOS的阈值电压教NMOS高,因此需要更高的驱动电压,充放电时间长,开关速度更低。所以导致现在的格局:NMOS价格便宜,厂商多,型号多。
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IRLML2803TRPBF
是指场效应管正常工作时,漏源间所允许通过的最大电流。ID(导通电流) 最大漏源电流。 场效应管的工作电流不应超过 ID 。一般实际应用作为开关用需要考虑到末端负载的功耗,判断是否会超过 ID。
在 MOS管中,半导体材料通常是硅。MOS管的基本原理是利用一个金属栅极、氧化物和半导体组成的结构来控制导体的电阻。
AOD425A、AOD442、AOD482、AOD484、AOD484、AP2301N、AP2303GN、AP2306GN、AP2307GN、AP2309GN。
AO4407、AO4407A、AO4409、AO4421、AO4430、AO4435、AO4485、AO4485、AO4606、AO4611。
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如果GATE电压超过了阈值电压,在GATE电介质下就出现了channel。Drain和backgate之间的PN结反向偏置,所以只有很小的电流从drain流向backgate。
最普通的FET用一薄层二氧化硅来作为GATE极下的绝缘体。
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