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在多数情况下,这个两个区是一样的,即使两端对调也不会影响器件的性能。MOS管的source和drain是可以对调的,他们都是在P型backgate中形成的N型区。这样的器件被认为是对称的。
他们之间的绝缘氧化层称为gate dielectric(栅介质)。图示中的器件有一个轻掺杂P型硅做成的backgate。金属极就是GATE,而半导体端就是backgate或者body。
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MOS管全名为:金属 (Metal)—氧化物 (Oxide)—半导体 (Semiconductor)场效应晶体管。
电流ID为0,管子不工作。夹断区在输出特性最下面靠近横坐标的部分,表示MOS管不能导电,处在截止状态。
P型衬底在 MOS管内部是和 源级(S)相连。
对于N沟道增强型的MOS管,当Vgs >Vgs(th)时,MOS就会开始导通,如果在 D 极和 S 极之间加上一定的电压,就会有电流Id产生。 。
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AP9575AGH
AM4902N-T1-PF、AO3402、AO3402、AO3414、AO3415、AO3416、AO3419、AO3421E、AO3460、AO4286 。
CSD17579Q3A、DMC2038LVT-7-F、DMG1012T、DMN3024LSD-13、DMP3020LSS-13、DMP3099L-7、DTU40P06、FDC5661N、FDC6306P、FDG6321C。
AOD425A、AOD442、AOD482、AOD484、AOD484、AP2301N、AP2303GN、AP2306GN、AP2307GN、AP2309GN。
FDMC8878、FDN304PZ-NL、FDN340P-NL、FDS4559-NL、FDS4953-NL、FDS6875-NL、FDS8926A-NL、FDS8926A-NL、FDS9933-NL、FDS9936A-NL。
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Drain和backgate之间的PN结反向偏置,所以只有很小的电流从drain流向backgate。如果GATE电压超过了阈值电压,在GATE电介质下就出现了channel。
由电子组成的电流从source通过channel流到drain。这个channel就像一薄层短接drain和source的N型硅。总的来说,只有在gate 对source电压V 超过阈值电压Vt时,才会有drain电流。
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