bychip可替代HM8810A

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因此PMOS管的阈值电压是负值。如果GATE相对于BACKGATE反向偏置，空穴被吸引到表面，channel形成了。

市面上常有的一般为N沟道和P沟道，详情参考右侧图片(P沟道耗尽型MOS管)。而P沟道常见的为低压mos管。

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我们先来看一下MOS管的输出特性曲线，MOS管的输出特性可以分为三个区：夹断区(截止区)、恒流区、可变电阻区。在一定的Vds下，D极电流 Id 的大小是与 G极电压Vgs有关的。

MOS管的导通条件 MOS管的开关条件： N沟道：导通时 Vg> Vs,Vgs> Vgs(th)时导通； P沟道：导通时 Vg |Vgs(th)|。

PMOS的导通电阻大，发热大，相对NMOS来说不易通过大电流。我们通过原理分析可以得知，NMOS 是电子的移动，PMOS那就是空穴的移动，空穴的迁移率比电子低，尺寸与电压相等的条件下，PMOS的跨导小于 NMOS，形成空穴沟道比电子沟道更难。PMOS价格贵，厂商少，型号少。（相对而言，其实MOS管发展到现在，普通的应用 PMOS 和 NMOS 都有大量可方便选择的型号）。 PMOS的阈值电压教NMOS高，因此需要更高的驱动电压，充放电时间长，开关速度更低。所以导致现在的格局：NMOS价格便宜，厂商多，型号多。

在P型半导体中，空穴为多子，自由电子为少子，主要靠空穴导电。 掺入的杂质越多，多子（空穴）的浓度就越高。P型半导体又称空穴型半导体，是以带正电的空穴导电为主的半导体。

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IRF5803TRPBF

金属栅极被置于氧化物层之上，而这层氧化物又被放置在半导体材料的表面上。

APM4828KC-TRL、BSH103、BSH114、BSL302SN、BSP250、CEM4953、CES2312、CEU4311、CJ8810、CMD12N10。

APM2054NUC-TRL、APM2301CAC-TRL、APM2305AC、APM2701AC、APM2701ACC-TRG、APM3048ADU4、APM3095PUC-TRL、APM4015PUC-TRL、APM4435KC-TRL、APM4826KC-TRG。

CSD17579Q3A、DMC2038LVT-7-F、DMG1012T、DMN3024LSD-13、DMP3020LSS-13、DMP3099L-7、DTU40P06、FDC5661N、FDC6306P、FDG6321C。

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因为MOS管更小更省电，所以他们已经在很多应用场合取代了双极型晶体管。这种晶体管称为金属氧化物半导体(MOS)晶体管，或,金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)。

电场反转，往表面吸引空穴排斥电子。正是当MOS电容的GATE相对于backgate是负电压时的情况。硅表层看上去更重的掺杂了，这个器件被认为是处于accumulation状态了。

文章来源： www.bychip.cn