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一般是金属(metal)—氧化物(oxide)—半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。MOSFET 金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）。什么是MOS管？这种基本的名词解释还是得用官方的话语说明一下： MOS，是MOSFET的缩写。

它是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件。由于它仅靠半导体中的多数载流子导电，又称单极型晶体管。什么是场效应管？场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。

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MOS管全名为：金属 (Metal)—氧化物 (Oxide)—半导体 (Semiconductor)场效应晶体管。

掺入的杂质越多，多子（空穴）的浓度就越高。在P型半导体中，空穴为多子，自由电子为少子，主要靠空穴导电。P型半导体又称空穴型半导体，是以带正电的空穴导电为主的半导体。

这个简单点，包括生产难度，实现成本，实现方式等等。为什么介绍MOS管的文章都以NMOS举例？说白了就是NMOS相对 PMOS 来说：简单点。对于人类发展而言，肯定是从某个事物简单的的部分开始深入研究发展，教学也是相同的道理，从某个简单部分开始更能够让人入门了解一个事物，然后再步步深入。

我们先来看一下MOS管的输出特性曲线，MOS管的输出特性可以分为三个区：夹断区(截止区)、恒流区、可变电阻区。在一定的Vds下，D极电流 Id 的大小是与 G极电压Vgs有关的。

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AO3419

场效应管的工作电流不应超过 ID 。一般实际应用作为开关用需要考虑到末端负载的功耗，判断是否会超过 ID。ID(导通电流) 最大漏源电流。是指场效应管正常工作时，漏源间所允许通过的最大电流。

MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）是一种常用的半导体器件，广泛应用于各种电子设备中。MOS管是一种场效应管，其主要作用是在电路中实现信号放大、开关控制等功能。

FDMC8878、FDN304PZ-NL、FDN340P-NL、FDS4559-NL、FDS4953-NL、FDS6875-NL、FDS8926A-NL、FDS8926A-NL、FDS9933-NL、FDS9936A-NL。

金属栅极被置于氧化物层之上，而这层氧化物又被放置在半导体材料的表面上。

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如果GATE电压超过了阈值电压，在GATE电介质下就出现了channel。Drain和backgate之间的PN结反向偏置，所以只有很小的电流从drain流向backgate。

如果这个晶体管的GATE相对于BACKGATE正向偏置，电子就被吸引到表面，空穴就被排斥出表面。硅的表面就积累，没有channel形成。

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