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在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。这样的器件被认为是对称的。
mos管是金属(metal)-氧化物(oxide)-半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属-绝缘体(insulator)-半导体。
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VGS>VGS(th) ，且VDS < VGS - VGS(th),MOS管进入可变电阻区： 可变电阻区在输出特性的最左边，Id随着Vds的增加而上升，两者基本上是线性关系，所以可以看作是一个线性电阻，当VGS不同电阻的阻值就会不同，所以在该区MOS管相当就是一个由VGS控制的可变电阻。
此参数一般会随结温度的上升而有所降低。应用中，常将漏极短接条件下 ID 等于 1 毫安时的栅极电压称为开启电压。VGS(th)(开启电压) 当外加栅极控制电压 VGS 超过 VGS(th) 时，漏区和源区的表面反型层形成了连接的沟道。
。对于N沟道增强型的MOS管，当Vgs >Vgs(th)时，MOS就会开始导通，如果在 D 极和 S 极之间加上一定的电压,就会有电流Id产生。
掺入的杂质越多，多子（空穴）的浓度就越高。在P型半导体中，空穴为多子，自由电子为少子，主要靠空穴导电。P型半导体又称空穴型半导体，是以带正电的空穴导电为主的半导体。
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AO4828
这个值要尽可能的小，因为一旦阻值偏大，就会使得功耗变大。现在的小功率MOS管导通电阻一般在几十毫欧左右，几毫欧的也有。RDS(on)(漏源电阻) 导通时漏源间的最大阻抗，它决定了MOSFET导通时的消耗功率。 MOS管 导通后都有导通电阻存在，这样电流就会在这个电阻上消耗能量，这部分消耗的能量叫做导通损耗。选择导通电阻小的MOS管会减小导通损耗。
AM4902N-T1-PF、AO3402、AO3402、AO3414、AO3415、AO3416、AO3419、AO3421E、AO3460、AO4286 。
2SK2415-Z-E1-AZ、2SK3065、2SK3105-T1B-A、2SK3484-Z-E1-AZ、2SK4033、AM2308N-T1-PF、AM2394NE、AM30N10-70D-T1-PF、AM4424N-T1-PF、AM4599C-T1-PF。
AOD425A、AOD442、AOD482、AOD484、AOD484、AP2301N、AP2303GN、AP2306GN、AP2307GN、AP2309GN。
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在对称的MOS管中，对source和drain的标注有一点任意性。因此Source和drain的身份就靠器件的偏置来决定了。定义上，载流子流出source，流入drain。
最普通的FET用一薄层二氧化硅来作为GATE极下的绝缘体。
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