时间：2019-4-24 9:52:00
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 650V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 7.3A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 600 毫欧 @ 4.6A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.9V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 27nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 790pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 32W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 通孔
供应商器件封装 PG-TO220-FP
封装/外壳 TO-220-3 整包
| 型号查询 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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N-Channel 650V (D-S)Power MOSFET | VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 | | ||
Cool MOS Power Transistor | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司 | | ||
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N-Channel 65 0V (D-S)Power MOSFET | VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 | | ||
N-Channel MOSFET Transistor | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 | | ||
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