SPA07N60C3

时间:2019-4-24 9:52:00

SPA07N60C3

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss) 650V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 7.3A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 600 毫欧 @ 4.6A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.9V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 27nC @ 10V

Vgs(最大值) ±20V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 790pF @ 25V

FET 功能 -

功率耗散(最大值) 32W(Tc)

工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型 通孔

供应商器件封装 PG-TO220-FP

封装/外壳 TO-220-3 整包

型号查询 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作

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2025-8-15 20:38:00
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