KLM8G1GETF-B041中文资料PDF参数

KLM8G1GETF-B041原装现货SAMSUNG 数量:11200 批号:18+ 封装:FBGA

KLM8G1GETF-B041特点：， VRTC包括在STATIC12 （固定1.2 - V）的基团。

TPS62353

? 88 ％的效率，3 MHz的操作

?输出峰值电流可达800毫安

? 3 MHz的固定频率工作

?

一流

负载和线路瞬态

?± 2 ％的PWM直流电压准确度

?效率优化的省电模式

?该H5TQ4G43AFR - XXC ， H5TQ4G83AFR - XXC和H5TQ4G63AFR - XXC是

4Gb

CMOS双数据速率III

（ DDR3 ）同步DRAM ，非常适合需要大容量存储器主存储器的应用

密度和高带宽。 4GB DDR3 SDRAM芯片提供参考利培两者完全同步操作

荷兰国际集团和下降沿的时钟的边缘。而所有地址和控制输入锁存的上升沿

在CK （属于CK的边缘） ，数据，数据选通信号和写数据掩码输入采样两个利培

荷兰国际集团和下降它的边缘。的数据通路内部流水线和8位预取，以达到非常高的

带宽。