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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
SPI07N60C3 | CoolMOS??PowerTransistor Feature •Newrevolutionaryhighvoltagetechnology •Ultralowgatecharge •Periodicavalancherated •Extremedv/dtrated •Highpeakcurrentcapability •Improvedtransconductance •PG-TO-220-3-31;-3-111:Fullyisolatedpackage(2500VAC;1minute) •Pb-freeleadplating;RoHScomplian | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司 |  |   |
SPI07N60C3 | NewrevolutionaryhighvoltagetechnologyUltralowgatecharge 文件：1.30229 Mbytes Page：15 Pages | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司 | | |
SPI07N60C3 | NewrevolutionaryhighvoltagetechnologyUltralowgatechargeExtremedv/dtrated 文件：625.63 Kbytes Page：15 Pages | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司 | | |
SPI07N60C3 | iscN-ChannelMOSFETTransistor 文件：331.91 Kbytes Page：2 Pages | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 |  | |
N-ChannelMOSFETTransistor •DESCRITION •Highpeakcurrentcapability •Improvedtransconductance •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance:RDS(on)≤0.6Ω •Enhancementmode: •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 | | | |
N-ChannelMOSFETTransistor •DESCRIPTION •Ultralowgatecharge •Highpeakcurrentcapability •Improvedtransconductance •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤0.6Ω •Enhancementmode •FastSwitchingSpeed •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice perform | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 | | | |
CoolMOSPowerTransistor 文件：980.68 Kbytes Page：13 Pages | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司 | | | |
NewrevolutionaryhighvoltagetechnologyUltralowgatechargeExtremedv/dtrated 文件：625.63 Kbytes Page：15 Pages | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司 | | | |
N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET 文件：2.12298 Mbytes Page：10 Pages | VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 |  | |
SPI07N60C3产品属性
- 类型
描述
- 型号
SPI07N60C3
- 功能描述
MOSFET COOL MOS PWR TRANS MAX 650V
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON/英飞凌 |
24+ |
NA/ |
515 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
|||
INFINEON/英飞凌 |
22+ |
TO-262 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
|||
INFINEON/英飞凌 |
25+ |
TO-262 |
54558 |
百分百原装现货 实单必成 欢迎询价 |
|||
INFINEON/英飞凌 |
24+ |
NA |
990000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
|||
INFINEON |
1822+ |
TO-262 |
9852 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
|||
INFINEON |
25+ |
TO220-3 |
4500 |
全新原装、诚信经营、公司现货销售! |
|||
INFINEO |
17+ |
TO-262 |
60000 |
保证进口原装可开17%增值税发票 |
|||
INFINEON/英飞凌 |
24+ |
TO-262 |
6000 |
全新原装,一手货源,全场热卖! |
|||
INFINEON/英飞凌 |
21+ |
TO-262 |
30000 |
优势供应 实单必成 可13点增值税 |
|||
INFINEON/英飞凌 |
25+ |
TO-262 |
13900 |
全新原装正品支持含税 |
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2019-10-14
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