NDS352AP;

时间:2019-4-17 9:29:00

NDS352AP;

FET 类型 P 沟道

技术 MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss) 30V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 900mA(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 300 毫欧 @ 1A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 3nC @ 4.5V

Vgs(最大值) ±20V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 135pF @ 15V

FET 功能 -

功率耗散(最大值) 500mW(Ta)

工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型 表面贴装

供应商器件封装 SuperSOT-3

封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

型号查询 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作

P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

P-Channel MOSFET

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

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P-Channel 30 V (D-S) MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

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35A 200V Rectifying bridge

SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD

森美特森美特半导体股份有限公司

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森美特森美特半导体股份有限公司

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85V Detection switch tube

SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD

森美特森美特半导体股份有限公司

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SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE

SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD

森美特森美特半导体股份有限公司

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Celeron D Processor

IntelIntel Corporation

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SWITCH

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2025-9-26 19:25:00
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