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Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching

Features • Low on-resistance RDS(on)= 0.065 Ωtyp. (at VGS = –10V, ID= –5A) • Low drive current • High speed switching • 4V gate drive devices.

HITACHIHitachi Semiconductor

日立日立公司

Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching

Features • Low on-resistance RDS(on)= 0.065 Ωtyp. (at VGS = –10V, ID= –5A) • Low drive current • High speed switching • 4V gate drive devices.

HITACHIHitachi Semiconductor

日立日立公司

Silicon P Channel MOS FET

* Low on-resistance RDS(on)= 0.065 Ωtyp. (at V GS = –10V, ID= –5A) * Low drive current * High speed switching * 4V gate drive devices.

RENESAS

瑞萨

Silicon P Channel MOS FET

* Low on-resistance RDS(on)= 0.065 Ωtyp. (at V GS = –10V, ID= –5A) * Low drive current * High speed switching * 4V gate drive devices.

RENESAS

瑞萨

Silicon P Channel MOS FET

* Low on-resistance RDS(on)= 0.065 Ωtyp. (at V GS = –10V, ID= –5A) * Low drive current * High speed switching * 4V gate drive devices.

RENESAS

瑞萨

2SJ506STR-E产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2SJ506STR-E

  • 制造商

    Renesas Electronics

  • 功能描述

    Cut Tape

  • 制造商

    Renesas

  • 功能描述

    0

更新时间:2026-3-14 23:00:02
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Renesas(瑞萨)
24+
标准封装
7948
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。
RENESAS
22+
TO252
20000
公司只有原装 品质保证
RenesasElectronicsCorpor
23+
NA
1286
专做原装正品,假一罚百!
RENESAS瑞萨/HITACHI日立
24+
TO-252
27700
新进库存/原装
VBsemi
24+
TO251
9000
只做原装正品 有挂有货 假一赔十
RENESAS/瑞萨
2450+
SOT252
8850
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!!
RENESAS
2023+
TO-252
831
全新 发货1-2天
RENESAS/瑞萨
新年份
TO-252
33288
原装正品现货,实单带TP来谈!
NEC
26+
原厂原封装
86720
全新原装正品价格最实惠 假一赔百
SI
25+
TO-92-2
860000
明嘉莱只做原装正品现货

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