2SJ652-1E 绝缘栅场效应管(MOSFET)

发布企业:深圳市芯峰微电子科技有限公司时间:2024-3-23 12:06:00

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2SJ652-1E 原装正品 现货供应
2SJ652-1E

2SJ652-1E这款芯片的主要参数,其详细信息如下:

制造商:ON Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装/箱体:TO-220-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:60V

Id-连续漏极电流:28A

Rds On-漏源导通电阻:28.5mOhms

Vgs-栅极-源极电压:20V

Qg-栅极电荷:80nC

最小工作温度:-55°C

最大工作温度:+150°C

Pd-功率耗散:30W

配置:Single

封装:Tube

系列:2SJ652

晶体管类型:1P-Channel

商标:ON Semiconductor

下降时间:180ns

产品类型:MOSFET

上升时间:210ns

工厂包装数量:50

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:310ns

典型接通延迟时间:33ns

单位重量:6g

型号查询 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作

P-Channel Power MOSFET

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

2025-8-17 23:01:00
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