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2SJ506L-E中文资料

厂家型号

2SJ506L-E

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8

功能描述

Silicon P Channel MOS FET

数据手册

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生产厂商

RENESAS

2SJ506L-E数据手册规格书PDF详情

* Low on-resistance

RDS(on)= 0.065 Ωtyp. (at V

GS = –10V, ID= –5A)

* Low drive current

* High speed switching

* 4V gate drive devices.

2SJ506L-E产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2SJ506L-E

  • 制造商

    RENESAS

  • 制造商全称

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述

    Silicon P Channel MOS FET

更新时间:2026-1-30 17:00:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
RenesasElectronicsCorpor
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