型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
2SJ506STL-E

Silicon P Channel MOS FET

* Low on-resistance RDS(on)= 0.065 Ωtyp. (at V GS = –10V, ID= –5A) * Low drive current * High speed switching * 4V gate drive devices.

RENESAS

瑞萨

2SJ506STL-E

P-Channel 30-V (D-S) MOSFET

文件:1.01578 Mbytes Page:9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching

Features • Low on-resistance RDS(on)= 0.065 Ωtyp. (at VGS = –10V, ID= –5A) • Low drive current • High speed switching • 4V gate drive devices.

HitachiHitachi Semiconductor

日立日立公司

Silicon P Channel MOS FET

* Low on-resistance RDS(on)= 0.065 Ωtyp. (at V GS = –10V, ID= –5A) * Low drive current * High speed switching * 4V gate drive devices.

RENESAS

瑞萨

Silicon P Channel MOS FET

* Low on-resistance RDS(on)= 0.065 Ωtyp. (at V GS = –10V, ID= –5A) * Low drive current * High speed switching * 4V gate drive devices.

RENESAS

瑞萨

Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching

Features • Low on-resistance RDS(on)= 0.065 Ωtyp. (at VGS = –10V, ID= –5A) • Low drive current • High speed switching • 4V gate drive devices.

HitachiHitachi Semiconductor

日立日立公司

Silicon P Channel MOS FET

文件:108.68 Kbytes Page:10 Pages

RENESAS

瑞萨

2SJ506STL-E产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2SJ506STL-E

  • 制造商

    RENESAS

  • 制造商全称

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述

    Silicon P Channel MOS FET

更新时间:2025-11-23 15:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
RENESAS/瑞萨
2447
SOT252
100500
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货
HITACHI/日立
23+
SOT252
7000
RENESAS
24+
SOT252
16900
原装正品现货支持实单
VBsemi
24+
TO252
9000
只做原装正品 有挂有货 假一赔十
RENESAS瑞萨/HITACHI日立
24+
TO-252
27700
新进库存/原装
HITACHI
1922+
SOT-252
35689
原装进口现货库存专业工厂研究所配单供货
renesas
20+
TO-252
63258
原装优势主营型号-可开原型号增税票
RENESAS
原厂封装
9800
原装进口公司现货假一赔百
VBsemi
21+
TO252
10065
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
R
22+
SOT252
6000
十年配单,只做原装

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