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2SD178晶体管资料

  • 2SD178别名：2SD178三极管、2SD178晶体管、2SD178晶体三极管

  • 2SD178生产厂家：日本松下公司

  • 2SD178制作材料：Ge-NPN

  • 2SD178性质：低频或音频放大 （LF）

  • 2SD178封装形式：直插封装

  • 2SD178极限工作电压：20V

  • 2SD178最大电流允许值：0.3A

  • 2SD178最大工作频率：<1MHZ或未知

  • 2SD178引脚数：3

  • 2SD178最大耗散功率：0.225W

  • 2SD178放大倍数：

  • 2SD178图片代号：C-48

  • 2SD178vtest：20

  • 2SD178htest：999900

  • 2SD178atest：.3

  • 2SD178wtest：.225

  • 2SD178代换 2SD178用什么型号代替：AC127,AC176,AC187,2N1302,2SD72,2SD352,3BX81B,

2SD178价格

参考价格：￥0.3835

型号：2SD1781KT146Q 品牌：Rohm 备注：这里有2SD178多少钱，2024年最近7天走势，今日出价，今日竞价，2SD178批发/采购报价，2SD178行情走势销售排行榜，2SD178报价。
型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
2SD1780

NPNSILICONTRANSISTOR

DESCRIPTION The2SD1780ishighhFEtransistor,built-inazenerdiodeatB-C. ItissuitableforusetooperatefromICwithoutpredriver,suchashammerormotordriver.

NECRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

NEC
2SD1781

SOT-23Plastic-EncapsulateTransistors

FEATURES VerylowVCE(sat).VCE(sat)

DGNJDZNanjing International Group Co

南晶电子东莞市南晶电子有限公司

DGNJDZ
2SD1781

NPNSiliconPlasticEncapsulatedTransistor

0.8A,40VNPNSiliconPlasticEncapsulatedTransistor FEATURES VerylowVCE(sat).VCE(sat)

SECOS

SeCoS Halbleitertechnologie GmbH

SECOS
2SD1781A

NPNLowVce(sat)Transistor

Features SiliconNPNepitaxialtype LowVce(sat)0.14V(max)@Ic/Ib=1A/100mA Highcollectorcurrentcapability ExcellentDCcurrentgaincharacteristics LeadfreeincompliancewithEURoHS2.0 GreenmoldingcompoundasperIEC61249standard

PANJITPANJIT International Inc.

强茂強茂股份有限公司

PANJIT
2SD1781A_R1_00001

NPNLowVce(sat)Transistor

Features SiliconNPNepitaxialtype LowVce(sat)0.14V(max)@Ic/Ib=1A/100mA Highcollectorcurrentcapability ExcellentDCcurrentgaincharacteristics LeadfreeincompliancewithEURoHS2.0 GreenmoldingcompoundasperIEC61249standard

PANJITPANJIT International Inc.

强茂強茂股份有限公司

PANJIT
2SD1781A_R2_00001

NPNLowVce(sat)Transistor

Features SiliconNPNepitaxialtype LowVce(sat)0.14V(max)@Ic/Ib=1A/100mA Highcollectorcurrentcapability ExcellentDCcurrentgaincharacteristics LeadfreeincompliancewithEURoHS2.0 GreenmoldingcompoundasperIEC61249standard

PANJITPANJIT International Inc.

强茂強茂股份有限公司

PANJIT
2SD1781K

MediumPowerTransistor(32V,0.8A)

MediumPowerTransistor(32V,0.8A) Features 1)VeryLowVCE(sat). VCE(sat)=0.1V(Typ.) ̈́IC/IB=500УA/50mAͅ 2)Highcurrentcapacityincompactpackage. 3)Complementsthe2SB1197K.

ROHMRohm Semiconductor

罗姆罗姆半导体集团

ROHM
2SD1781K

MediumPowerTransistor

MediumPowerTransistor Features VeryLowVCE(sat).VCE(sat)=-0.1V(Typ.)IC/IB=500mA/50mA Highcurrentcapacityincompactpackage.

KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD

科信电子广东科信实业有限公司

KEXIN
2SD1781K

NPNSiliconPlasticEncapsulatedTransistor

NPNSiliconPlasticEncapsulatedTransistor FEATURES VerylowVCE(sat).VCE(sat)

SECOS

SeCoS Halbleitertechnologie GmbH

SECOS
2SD1781K

MediumPowerTransistor(32V,0.8A)

MediumPowerTransistor(32V,0.8A) Features 1)VeryLowVCE(sat). VCE(sat)=0.1V(Typ.) ̈́IC/IB=500УA/50mAͅ 2)Highcurrentcapacityincompactpackage. 3)Complementsthe2SB1197K.

ROHMRohm Semiconductor

罗姆罗姆半导体集团

ROHM
2SD1781KT146Q

MediumPowerTransistor(32V,0.8A)

MediumPowerTransistor(32V,0.8A) Features 1)VeryLowVCE(sat). VCE(sat)=0.1V(Typ.) ̈́IC/IB=500УA/50mAͅ 2)Highcurrentcapacityincompactpackage. 3)Complementsthe2SB1197K.

ROHMRohm Semiconductor

罗姆罗姆半导体集团

ROHM
2SD1781KT146R

MediumPowerTransistor(32V,0.8A)

MediumPowerTransistor(32V,0.8A) Features 1)VeryLowVCE(sat). VCE(sat)=0.1V(Typ.) ̈́IC/IB=500УA/50mAͅ 2)Highcurrentcapacityincompactpackage. 3)Complementsthe2SB1197K.

ROHMRohm Semiconductor

罗姆罗姆半导体集团

ROHM
2SD1782

SOT-23Plastic-EncapsulateTransistors

FEATURES LowVCE(sat) HighBVCEO Complementsthe2SB1198

DGNJDZNanjing International Group Co

南晶电子东莞市南晶电子有限公司

DGNJDZ
2SD1782

Low-powerpyroelectricinfraredsensorsignalprocessingchip

ProductOverview HM4002isalow-powerpyroelectricinfraredsensorsignalprocessingchip,whichcanbematchedwithinfraredsensorunitSimpleloadsensingON/OFFanddelaytimingfunctioncontrol;atthesametime,thechipbuilt-inhigh-precisionstableLDO2.6VoutputcanprovideRedpower

HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd

华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司

HMSEMI
2SD1782

SOT-23Plastic-EncapsulateTransistors

TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●LowVCE(sat) ●HighBVCEO ●Complementsthe2SB1198

JIANGSU

Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd

JIANGSU
2SD1782

POWERNPNTRANSISTOR

DESCRIPTION TheUTC2SD1782isanNPNsilicontransistor.itusesUTC’sadvancedtechnologytoprovidecustomerswithhighcollector-emitterbreakdownvoltage,lowcollector-emittersaturationvoltageandhighDCcurrentgain,etc. FEATURES *Highcollector-emitterbreakdownvoltage *Lowcoll

UTCYoushun Technology Co., Ltd

友顺友顺科技股份有限公司

UTC
2SD1782G-Q-AE3-R

POWERNPNTRANSISTOR

DESCRIPTION TheUTC2SD1782isanNPNsilicontransistor.itusesUTC’sadvancedtechnologytoprovidecustomerswithhighcollector-emitterbreakdownvoltage,lowcollector-emittersaturationvoltageandhighDCcurrentgain,etc. FEATURES *Highcollector-emitterbreakdownvoltage *Lowcoll

UTCYoushun Technology Co., Ltd

友顺友顺科技股份有限公司

UTC
2SD1782G-R-AE3-R

POWERNPNTRANSISTOR

DESCRIPTION TheUTC2SD1782isanNPNsilicontransistor.itusesUTC’sadvancedtechnologytoprovidecustomerswithhighcollector-emitterbreakdownvoltage,lowcollector-emittersaturationvoltageandhighDCcurrentgain,etc. FEATURES *Highcollector-emitterbreakdownvoltage *Lowcoll

UTCYoushun Technology Co., Ltd

友顺友顺科技股份有限公司

UTC
2SD1782K

SiliconNPNtransistorinaSOT-23PlasticPackage

Descriptions SiliconNPNtransistorinaSOT-23PlasticPackage. Features Highbreakdown,lowVCE(sat),complementsthe2SB1198K. Applications Mediumpoweramplifierapplications.

FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd.

蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司

FOSHAN
2SD1782K

PowerTransistor(80V,0.5A)

Features 1)LowVCE(sat). VCE(sat)=0.2V(Typ.) (IC/IB=0.5A/50mA) 2)HighVCEO,VCEO=80V 3)Complementsthe2SB1198K.

ROHMRohm Semiconductor

罗姆罗姆半导体集团

ROHM
2SD1782K

PowerTransistor

Features ●LowVCE(sat).VCE(sat)=0.2V(Typ.)(IC/IB=0.5A/50mA) ●HighVCEO,VCEO=80V.

KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD

科信电子广东科信实业有限公司

KEXIN
2SD1782KT146R

PowerTransistor(80V,0.5A)

Features 1)LowVCE(sat). VCE(sat)=0.2V(Typ.) (IC/IB=0.5A/50mA) 2)HighVCEO,VCEO=80V 3)Complementsthe2SB1198K.

ROHMRohm Semiconductor

罗姆罗姆半导体集团

ROHM
2SD1782L-Q-AE3-R

POWERNPNTRANSISTOR

DESCRIPTION TheUTC2SD1782isanNPNsilicontransistor.itusesUTC’sadvancedtechnologytoprovidecustomerswithhighcollector-emitterbreakdownvoltage,lowcollector-emittersaturationvoltageandhighDCcurrentgain,etc. FEATURES *Highcollector-emitterbreakdownvoltage *Lowcoll

UTCYoushun Technology Co., Ltd

友顺友顺科技股份有限公司

UTC
2SD1782L-R-AE3-R

POWERNPNTRANSISTOR

DESCRIPTION TheUTC2SD1782isanNPNsilicontransistor.itusesUTC’sadvancedtechnologytoprovidecustomerswithhighcollector-emitterbreakdownvoltage,lowcollector-emittersaturationvoltageandhighDCcurrentgain,etc. FEATURES *Highcollector-emitterbreakdownvoltage *Lowcoll

UTCYoushun Technology Co., Ltd

友顺友顺科技股份有限公司

UTC
2SD1783

TAPEDPOWERTRANSISTORPACKAGEFORUSEWITHANAUTOMATICPLACEMENTMACHINE

EpitaxialPlanarNPNSiliconTransistor TAPEDPOWERTRANSISTORPACKAGEFORUSEWITHANAUTOMATICPLACEMENTMACHINE)

ROHMRohm Semiconductor

罗姆罗姆半导体集团

ROHM
2SD1783A

TAPEDPOWERTRANSISTORPACKAGEFORUSEWITHANAUTOMATICPLACEMENTMACHINE

EpitaxialPlanarNPNSiliconTransistor TAPEDPOWERTRANSISTORPACKAGEFORUSEWITHANAUTOMATICPLACEMENTMACHINE)

ROHMRohm Semiconductor

罗姆罗姆半导体集团

ROHM
2SD1784

NPNEPITAXIALTYPE(MICROMOTORDRIVE,HAMMERDRIVE,SWITCHING,POWERAMPLIFIERAPPLICATIONS)

MicroMotorDrive,HammerDriveApplications SwitchingApplications PowerAmplifierApplications •HighDCcurrentgain:hFE=4000(min)(VCE=2V,IC=150mA) •Lowsaturationvoltage:VCE(sat)=1.5V(max)(IC=1A,IB=1mA)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社東芝

TOSHIBA
2SD1784

BipolarSmall-SignalTransistors

MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社東芝

TOSHIBA
2SD1785

TAPEDPOWERTRANSISTORPACKAGEFORUSEWITHANAUTOMATICPLACEMENTMACHINE

EpitaxialPlanarNPNSiliconTransistor TAPEDPOWERTRANSISTORPACKAGEFORUSEWITHANAUTOMATICPLACEMENTMACHINE)

ROHMRohm Semiconductor

罗姆罗姆半导体集团

ROHM
2SD1785

SiliconNPNTripleDiffusedPlanarTransistor(DriverforSolenoid,RelayandMotor,SeriesRegulator,andGeneralPurpose)

SiliconNPNTripleDiffusedPlanarTransistor(Complementtotype2SB1258) Application:DriverforSolenoid,RelayandMotor,SeriesRegulator,andGeneralPurpose

SankenSanken Electric Co Ltd.

三垦日本三垦

Sanken
2SD1785

iscSiliconNPNDarlingtonPowerTransistor

DESCRIPTION •Collector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEO=120V(Min) •Collector-EmitterSaturationVoltage-:VCE(sat)=1.5V(Max)@IC=2A •HighDCCurrentGain:hFE=2000(Min)@IC=3A,VCE=2V •ComplementtoType2SB1258 APPLICATIONS •Driverforsolenoid,relayandmotor,seriesre

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
2SD1788

SiliconNPNPowerTransistors

DESCRIPTION •WithITO-220package •Switchingpowertransistor •DARLINGTON

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
2SD1788

DarlingtonTransistor(짹4ANPN)

DarlingtonTransistor±4ANPN

SHINDENGENSHINDENGEN ELECTRIC MANUFACTURING CO.LTD

新电元（上海）电器有限公司

SHINDENGEN
2SD1788

SiliconNPNPowerTransistors

DESCRIPTION •WithITO-220package •Switchingpowertransistor •DARLINGTON

SAVANTIC

Savantic, Inc.

SAVANTIC
2SD1788

SiliconNPNPowerTransistors

DESCRIPTION •WithITO-220package •Switchingpowertransistor

JMNICQuanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd.

泉州锦美泉州锦美电子有限公司

JMNIC
2SD1789

SiliconNPNPowerTransistors

DESCRIPTION •WithITO-220package •Switchingpowertransistor •DARLINGTON

SAVANTIC

Savantic, Inc.

SAVANTIC
2SD1789

SiliconNPNPowerTransistors

DESCRIPTION •WithITO-220package •Switchingpowertransistor

JMNICQuanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd.

泉州锦美泉州锦美电子有限公司

JMNIC
2SD1789

SiliconNPNPowerTransistors

DESCRIPTION •WithITO-220package •Switchingpowertransistor •DARLINGTON

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
2SD1789

DarlingtonTransistor(짹4ANPN)

DarlingtonTransistor

SHINDENGENSHINDENGEN ELECTRIC MANUFACTURING CO.LTD

新电元（上海）电器有限公司

SHINDENGEN
2SD1781

SOT-23Plastic-EncapsulateTransistors

文件：828.97 Kbytes Page：4 Pages

JIANGSU

Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd

JIANGSU
2SD1781

MediumPowerTransistor

文件：324.82 Kbytes Page：2 Pages

YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD

佑风微电子广东佑风微电子有限公司

YFWDIODE
2SD1781_15

NPNTransistors

文件：1.033849 Mbytes Page：2 Pages

KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD

科信电子广东科信实业有限公司

KEXIN
2SD1781_15

NPNSiliconPlasticEncapsulatedTransistor

文件：78.25 Kbytes Page：3 Pages

SECOS

SeCoS Halbleitertechnologie GmbH

SECOS
2SD1781K

SiliconNPNtransistorinaSOT-23PlasticPackage

文件：697.52 Kbytes Page：6 Pages

FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd.

蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司

FOSHAN
2SD1781K

SiliconEpitaxialPlanarTransistor

文件：621.22 Kbytes Page：4 Pages

SKTECHNOLGYSHIKE Electronics

時科广东時科微实业有限公司

SKTECHNOLGY
2SD1781K

TRANSISTOR(NPN)

文件：129.46 Kbytes Page：1 Pages

WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD

永而佳实业深圳市永而佳实业有限公司

WINNERJOIN
2SD1781K

MediumPowerTransistor(32V,0.8A)

文件：53.92 Kbytes Page：4 Pages

ROHMRohm Semiconductor

罗姆罗姆半导体集团

ROHM
2SD1781K_08

MediumPowerTransistor(32V,0.8A)

文件：53.92 Kbytes Page：4 Pages

ROHMRohm Semiconductor

罗姆罗姆半导体集团

ROHM
2SD1781K_15

NPNTRANSISTOR

文件：129.46 Kbytes Page：1 Pages

WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD

永而佳实业深圳市永而佳实业有限公司

WINNERJOIN
2SD1781KFRAT146R

封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述：TRANS NPN 32V 0.8A SMT3 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

ROHMRohm Semiconductor

罗姆罗姆半导体集团

ROHM
2SD1781KPT

NPNSwitchingTransistor

文件：197.94 Kbytes Page：4 Pages

CHENMKOCHENMKO

CHENMKO

CHENMKO
2SD1781KQ

MediumPowerTransistor

文件：907 Kbytes Page：4 Pages

YEASHINYea Shin Technology Co., Ltd

亞昕科技亞昕科技股份有限公司

YEASHIN
2SD1781KR

GENERALPURPOSETRANSISTORSMEDIUMPOWERTRANSISTOR(32V,0.8A)

文件：484.15 Kbytes Page：7 Pages

AITSEMIAiT Semiconductor Inc.

AiT創瑞科技

AITSEMI
2SD1781KR

MediumPowerTransistor

文件：907 Kbytes Page：4 Pages

YEASHINYea Shin Technology Co., Ltd

亞昕科技亞昕科技股份有限公司

YEASHIN
2SD1781KT146Q

封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述：TRANS NPN 32V 0.8A SMT3 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

ROHMRohm Semiconductor

罗姆罗姆半导体集团

ROHM
2SD1782_15

POWERNPNTRANSISTOR

文件：125.54 Kbytes Page：3 Pages

UTCYoushun Technology Co., Ltd

友顺友顺科技股份有限公司

UTC
2SD1782G-X-AE3-R

POWERNPNTRANSISTOR

文件：125.54 Kbytes Page：3 Pages

UTCYoushun Technology Co., Ltd

友顺友顺科技股份有限公司

UTC
2SD1782K

PowerTransistor(80V,0.5A)

文件：67.37 Kbytes Page：4 Pages

ROHMRohm Semiconductor

罗姆罗姆半导体集团

ROHM
2SD1782SQ

NPNTransistor

文件：1.38832 Mbytes Page：4 Pages

PJSEMIDongguan Pingjingsemi Technology Co., Ltd,

平晶半导体东莞市平晶半导体科技有限公司

PJSEMI
2SD1784

MicroMotorDrive,HammerDriveApplications

文件：183.65 Kbytes Page：5 Pages

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社東芝

TOSHIBA

2SD178产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2SD178

  • 制造商

    Panasonic Industrial Company

  • 功能描述

    TRANSISTOR

2SD178供应商更多...

更新时间：2024-5-8 17:49:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市赛特兴科技有限公司
2SD178A
ST
22+
CAN to-39
16900
正规渠道,只有原装!
询价
深圳市博浩通科技有限公司
2SD178B
进口原装
23+
CAN
1560
优势库存
询价
深圳市科芯源微电子有限公司
2SD1788
SHI
24+
TO220
58000
全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费!
询价
深圳市拓亿芯电子有限公司
2SD1792
SHINDENGE
23+
TO220F
9800
全新原装现货,假一赔十
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深圳市汇莱威科技有限公司
2SD1792
SHINDENGEN/新电元
TO220F
265209
假一罚十原包原标签常备现货!
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深圳市向鸿伟业电子有限公司
2SD1790
2001+
BULK
2781
进口原装-真实库存-价实
询价
深圳市星佑电子有限公司
2SD178A
ST
22+
CAN to-39
16900
支持样品 原装现货 提供技术支持!
询价
深圳市特顺芯科技有限公司
2SD1788
ITO-220
10000
全新
询价
深圳市芯祺盛科技有限公司
2SD1788
新电源
1746+
TO220F
8862
深圳公司现货!特价支持工厂客户!提供样品!
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司
2SD1789
SHINDENGE
23+
TO-TO-220F
33500
全新原装真实库存含13点增值税票!
询价

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