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2SD1781A_R1_00001

NPN Low Vce(sat) Transistor

Features  Silicon NPN epitaxial type  Low Vce(sat) 0.14V(max)@Ic/Ib= 1A/100mA  High collector current capability  Excellent DC current gain characteristics  Lead free in compliance with EU RoHS 2.0  Green molding compound as per IEC 61249 standard

PANJIT

強茂

2SD1781A_R1_00001

封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述:TRANS NPN 50V 3A SOT23 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

ETC

知名厂家

更新时间:2025-11-1 9:13:00
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