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2SD1781A_R2_00001

NPN Low Vce(sat) Transistor

Features  Silicon NPN epitaxial type  Low Vce(sat) 0.14V(max)@Ic/Ib= 1A/100mA  High collector current capability  Excellent DC current gain characteristics  Lead free in compliance with EU RoHS 2.0  Green molding compound as per IEC 61249 standard

PANJIT

強茂

更新时间:2025-11-1 23:00:00
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