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2SD1781KQ

Medium Power Transistor

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YEASHIN

亚昕科技

2SD1781KQ

General BJT - 3

YEASHIN

亚昕科技

NPN Silicon Plastic Encapsulated Transistor

0.8A, 40V NPN Silicon Plastic Encapsulated Transistor FEATURES Very low VCE(sat).VCE(sat)

SECOS

喜可士

SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors

FEATURES Very low VCE(sat). VCE(sat)

DGNJDZ

南晶电子

SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors

文件:828.97 Kbytes Page:4 Pages

JIANGSU

长电科技

Medium Power Transistor

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YFWDIODE

佑风微

General BJT - 3

YEASHIN

亚昕科技

NPN Low Vce(sat) Transistor

Features  Silicon NPN epitaxial type  Low Vce(sat) 0.14V(max)@Ic/Ib= 1A/100mA  High collector current capability  Excellent DC current gain characteristics  Lead free in compliance with EU RoHS 2.0  Green molding compound as per IEC 61249 standard

PANJIT

強茂

更新时间:2025-10-31 23:00:00
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