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TPS110晶体管资料

TPS110别名：TPS110三极管、TPS110晶体管、TPS110晶体三极管
TPS110生产厂家：
TPS110制作材料：Si-NPN
TPS110性质：
TPS110封装形式：
TPS110极限工作电压：60V
TPS110最大电流允许值：0.5A
TPS110最大工作频率：<1MHZ或未知
TPS110引脚数：
TPS110最大耗散功率：0.625W
TPS110放大倍数：
TPS110图片代号：NO
TPS110vtest：60
TPS110htest：999900
TPS110atest：0.5
TPS110wtest：0.625

TPS110代换 TPS110用什么型号代替：3DK4B,

TPS110价格

参考价格：￥5.0226

型号：TPS1100D 品牌：TI 备注：这里有TPS110多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，TPS110批发/采购报价，TPS110行情走势销售排行榜，TPS110报价。

型号	功能描述	生产厂家企业	LOGO
TPS1100	SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS Low rDS(on) . . . 0.18 W Typ at VGS = –10 V 3 V Compatible Requires No External VCC TTL and CMOS Compatible Inputs VGS(th) = –1.5 V Max Available in Ultrathin TSSOP Package (PW) ESD Protection Up to 2 kV Per MIL-STD-883C, Method 3015 description The TPS1100 is a single P-channel enhanc	TI 德州仪器	TI
TPS1100D	SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS Low rDS(on) . . . 0.18 W Typ at VGS = –10 V 3 V Compatible Requires No External VCC TTL and CMOS Compatible Inputs VGS(th) = –1.5 V Max Available in Ultrathin TSSOP Package (PW) ESD Protection Up to 2 kV Per MIL-STD-883C, Method 3015 description The TPS1100 is a single P-channel enhanc	TI 德州仪器	TI
TPS1100D.A	SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS Low rDS(on) . . . 0.18 W Typ at VGS = –10 V 3 V Compatible Requires No External VCC TTL and CMOS Compatible Inputs VGS(th) = –1.5 V Max Available in Ultrathin TSSOP Package (PW) ESD Protection Up to 2 kV Per MIL-STD-883C, Method 3015 description The TPS1100 is a single P-channel enhanc	TI 德州仪器	TI
TPS1100DR	SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS Low rDS(on) . . . 0.18 W Typ at VGS = –10 V 3 V Compatible Requires No External VCC TTL and CMOS Compatible Inputs VGS(th) = –1.5 V Max Available in Ultrathin TSSOP Package (PW) ESD Protection Up to 2 kV Per MIL-STD-883C, Method 3015 description The TPS1100 is a single P-channel enhanc	TI 德州仪器	TI
TPS1100DR.A	SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS Low rDS(on) . . . 0.18 W Typ at VGS = –10 V 3 V Compatible Requires No External VCC TTL and CMOS Compatible Inputs VGS(th) = –1.5 V Max Available in Ultrathin TSSOP Package (PW) ESD Protection Up to 2 kV Per MIL-STD-883C, Method 3015 description The TPS1100 is a single P-channel enhanc	TI 德州仪器	TI
TPS1100DR.B	SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS Low rDS(on) . . . 0.18 W Typ at VGS = –10 V 3 V Compatible Requires No External VCC TTL and CMOS Compatible Inputs VGS(th) = –1.5 V Max Available in Ultrathin TSSOP Package (PW) ESD Protection Up to 2 kV Per MIL-STD-883C, Method 3015 description The TPS1100 is a single P-channel enhanc	TI 德州仪器	TI
TPS1100PW	SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS Low rDS(on) . . . 0.18 W Typ at VGS = –10 V 3 V Compatible Requires No External VCC TTL and CMOS Compatible Inputs VGS(th) = –1.5 V Max Available in Ultrathin TSSOP Package (PW) ESD Protection Up to 2 kV Per MIL-STD-883C, Method 3015 description The TPS1100 is a single P-channel enhanc	TI 德州仪器	TI
TPS1100PW.A	SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS Low rDS(on) . . . 0.18 W Typ at VGS = –10 V 3 V Compatible Requires No External VCC TTL and CMOS Compatible Inputs VGS(th) = –1.5 V Max Available in Ultrathin TSSOP Package (PW) ESD Protection Up to 2 kV Per MIL-STD-883C, Method 3015 description The TPS1100 is a single P-channel enhanc	TI 德州仪器	TI
TPS1100PW.B	SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS Low rDS(on) . . . 0.18 W Typ at VGS = –10 V 3 V Compatible Requires No External VCC TTL and CMOS Compatible Inputs VGS(th) = –1.5 V Max Available in Ultrathin TSSOP Package (PW) ESD Protection Up to 2 kV Per MIL-STD-883C, Method 3015 description The TPS1100 is a single P-channel enhanc	TI 德州仪器	TI
TPS1100PWLE	SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS Low rDS(on) . . . 0.18 W Typ at VGS = –10 V 3 V Compatible Requires No External VCC TTL and CMOS Compatible Inputs VGS(th) = –1.5 V Max Available in Ultrathin TSSOP Package (PW) ESD Protection Up to 2 kV Per MIL-STD-883C, Method 3015 description The TPS1100 is a single P-channel enhanc	TI 德州仪器	TI
TPS1100PWR	SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS Low rDS(on) . . . 0.18 W Typ at VGS = –10 V 3 V Compatible Requires No External VCC TTL and CMOS Compatible Inputs VGS(th) = –1.5 V Max Available in Ultrathin TSSOP Package (PW) ESD Protection Up to 2 kV Per MIL-STD-883C, Method 3015 description The TPS1100 is a single P-channel enhanc	TI 德州仪器	TI
TPS1100PWR.A	SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS Low rDS(on) . . . 0.18 W Typ at VGS = –10 V 3 V Compatible Requires No External VCC TTL and CMOS Compatible Inputs VGS(th) = –1.5 V Max Available in Ultrathin TSSOP Package (PW) ESD Protection Up to 2 kV Per MIL-STD-883C, Method 3015 description The TPS1100 is a single P-channel enhanc	TI 德州仪器	TI
TPS1100Y	SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS Low rDS(on) . . . 0.18 W Typ at VGS = –10 V 3 V Compatible Requires No External VCC TTL and CMOS Compatible Inputs VGS(th) = –1.5 V Max Available in Ultrathin TSSOP Package (PW) ESD Protection Up to 2 kV Per MIL-STD-883C, Method 3015 description The TPS1100 is a single P-channel enhanc	TI 德州仪器	TI
TPS1101	SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS Low rDS(on) . . . 0.09 W Typ at VGS = –10 V 3 V Compatible Requires No External VCC TTL and CMOS Compatible Inputs VGS(th) = –1.5 V Max Available in Ultrathin TSSOP Package (PW) ESD Protection Up to 2 kV per MIL-STD-883C, Method 3015 description The TPS1101 is a single, low-rDS(on), P-c	TI 德州仪器	TI
TPS1101D	SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS Low rDS(on) . . . 0.09 W Typ at VGS = –10 V 3 V Compatible Requires No External VCC TTL and CMOS Compatible Inputs VGS(th) = –1.5 V Max Available in Ultrathin TSSOP Package (PW) ESD Protection Up to 2 kV per MIL-STD-883C, Method 3015 description The TPS1101 is a single, low-rDS(on), P-c	TI 德州仪器	TI
TPS1101D.A	SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS Low rDS(on) . . . 0.09 W Typ at VGS = –10 V 3 V Compatible Requires No External VCC TTL and CMOS Compatible Inputs VGS(th) = –1.5 V Max Available in Ultrathin TSSOP Package (PW) ESD Protection Up to 2 kV per MIL-STD-883C, Method 3015 description The TPS1101 is a single, low-rDS(on), P-c	TI 德州仪器	TI
TPS1101-D32	Low Capacitance Bi-directional ESD DIODE Features \| o Low operating voltage: 1V « Ultra low capacitance: 0.2pF (Typ) « Ultra low leakage: nA level o Low clamping voltage IEC 61000-4-2 (ESD) immunity test Air discharge: £15kV Contact discharge: +12kV/ —~IEC61000-4-4 (EFT) 40A (5/50ns) —~IEC61000-4-5 (Lightning) 4A (8/20ps) o 2	TECHPUBLIC 台舟电子	TECHPUBLIC
TPS1101DR	SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS Low rDS(on) . . . 0.09 W Typ at VGS = –10 V 3 V Compatible Requires No External VCC TTL and CMOS Compatible Inputs VGS(th) = –1.5 V Max Available in Ultrathin TSSOP Package (PW) ESD Protection Up to 2 kV per MIL-STD-883C, Method 3015 description The TPS1101 is a single, low-rDS(on), P-c	TI 德州仪器	TI
TPS1101DR.A	SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS Low rDS(on) . . . 0.09 W Typ at VGS = –10 V 3 V Compatible Requires No External VCC TTL and CMOS Compatible Inputs VGS(th) = –1.5 V Max Available in Ultrathin TSSOP Package (PW) ESD Protection Up to 2 kV per MIL-STD-883C, Method 3015 description The TPS1101 is a single, low-rDS(on), P-c	TI 德州仪器	TI
TPS1101PWLE	SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS Low rDS(on) . . . 0.09 W Typ at VGS = –10 V 3 V Compatible Requires No External VCC TTL and CMOS Compatible Inputs VGS(th) = –1.5 V Max Available in Ultrathin TSSOP Package (PW) ESD Protection Up to 2 kV per MIL-STD-883C, Method 3015 description The TPS1101 is a single, low-rDS(on), P-c	TI 德州仪器	TI
TPS1101PWR	SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS Low rDS(on) . . . 0.09 W Typ at VGS = –10 V 3 V Compatible Requires No External VCC TTL and CMOS Compatible Inputs VGS(th) = –1.5 V Max Available in Ultrathin TSSOP Package (PW) ESD Protection Up to 2 kV per MIL-STD-883C, Method 3015 description The TPS1101 is a single, low-rDS(on), P-c	TI 德州仪器	TI
TPS1101PWR.A	SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS Low rDS(on) . . . 0.09 W Typ at VGS = –10 V 3 V Compatible Requires No External VCC TTL and CMOS Compatible Inputs VGS(th) = –1.5 V Max Available in Ultrathin TSSOP Package (PW) ESD Protection Up to 2 kV per MIL-STD-883C, Method 3015 description The TPS1101 is a single, low-rDS(on), P-c	TI 德州仪器	TI
TPS1101PWR.B	SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS Low rDS(on) . . . 0.09 W Typ at VGS = –10 V 3 V Compatible Requires No External VCC TTL and CMOS Compatible Inputs VGS(th) = –1.5 V Max Available in Ultrathin TSSOP Package (PW) ESD Protection Up to 2 kV per MIL-STD-883C, Method 3015 description The TPS1101 is a single, low-rDS(on), P-c	TI 德州仪器	TI
TPS1101Y	SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS Low rDS(on) . . . 0.09 W Typ at VGS = –10 V 3 V Compatible Requires No External VCC TTL and CMOS Compatible Inputs VGS(th) = –1.5 V Max Available in Ultrathin TSSOP Package (PW) ESD Protection Up to 2 kV per MIL-STD-883C, Method 3015 description The TPS1101 is a single, low-rDS(on), P-c	TI 德州仪器	TI
TPS1103-D32	Low Capacitance Bi-directional ESD DIODE Features o Low operating voltage: 5V » Ultra low capacitance: 0.08pF(typ) Ultra low leakage: nA level o Low clamping voltage o —IEC 61000-4-2 (ESD) immunity test Air discharge: +12kV/ Contact discharge: +8kV —IEC61000-4-4 (EFT) 40A (5/50ns) ~IEC61000-4-5 (Lightning) 2.5A (8/20	TECHPUBLIC 台舟电子	TECHPUBLIC
TPS1100	单路 P 沟道增强-模式 MOSFET	TI 德州仪器	TI
TPS1100	SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS 文件：155.28 Kbytes Page：10 Pages	TI 德州仪器	TI
TPS1100D	SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS 文件：155.28 Kbytes Page：10 Pages	TI 德州仪器	TI
TPS1100D	SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS 文件：700.48 Kbytes Page：14 Pages	TI 德州仪器	TI
TPS1100DG4	SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS 文件：700.48 Kbytes Page：14 Pages	TI 德州仪器	TI
TPS1100DR	SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS 文件：700.48 Kbytes Page：14 Pages	TI 德州仪器	TI
TPS1100DRG4	SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS 文件：700.48 Kbytes Page：14 Pages	TI 德州仪器	TI
TPS1100DRG4	P-Channel 12-V (D-S) MOSFET 文件：878.19 Kbytes Page：6 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
TPS1100PW	SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS 文件：155.28 Kbytes Page：10 Pages	TI 德州仪器	TI
TPS1100PW	SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS 文件：700.48 Kbytes Page：14 Pages	TI 德州仪器	TI
TPS1100PWG4	SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS 文件：700.48 Kbytes Page：14 Pages	TI 德州仪器	TI
TPS1100PWLE	SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS 文件：700.48 Kbytes Page：14 Pages	TI 德州仪器	TI
TPS1100PWR	SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS 文件：700.48 Kbytes Page：14 Pages	TI 德州仪器	TI
TPS1100PWRG4	SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS 文件：700.48 Kbytes Page：14 Pages	TI 德州仪器	TI
TPS1100Y	SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS 文件：155.28 Kbytes Page：10 Pages	TI 德州仪器	TI
TPS1100YD	SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS 文件：155.28 Kbytes Page：10 Pages	TI 德州仪器	TI
TPS1100YPW	SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS 文件：155.28 Kbytes Page：10 Pages	TI 德州仪器	TI
TPS1101	SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS 文件：161.41 Kbytes Page：10 Pages	TI 德州仪器	TI
TPS1101	SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS 文件：495.85 Kbytes Page：13 Pages	TI 德州仪器	TI
TPS1101	单路 P 沟道增强-模式 MOSFET	TI 德州仪器	TI
TPS1101_12	SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS 文件：495.85 Kbytes Page：13 Pages	TI 德州仪器	TI
TPS1101D	SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS 文件：495.85 Kbytes Page：13 Pages	TI 德州仪器	TI
TPS1101D	SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS 文件：161.41 Kbytes Page：10 Pages	TI 德州仪器	TI
TPS1101DG4	SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS 文件：495.85 Kbytes Page：13 Pages	TI 德州仪器	TI
TPS1101DR	SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS 文件：495.85 Kbytes Page：13 Pages	TI 德州仪器	TI
TPS1101DRG4	SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS 文件：495.85 Kbytes Page：13 Pages	TI 德州仪器	TI
TPS1101DRG4	P-Channel 12-V (D-S) MOSFET 文件：899.06 Kbytes Page：6 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
TPS1101DW	SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS 文件：161.41 Kbytes Page：10 Pages	TI 德州仪器	TI
TPS1101PW	SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS 文件：161.41 Kbytes Page：10 Pages	TI 德州仪器	TI
TPS1101PWLE	SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS 文件：161.41 Kbytes Page：10 Pages	TI 德州仪器	TI
TPS1101PWLE	SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS 文件：495.85 Kbytes Page：13 Pages	TI 德州仪器	TI
TPS1101PWR	SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS 文件：495.85 Kbytes Page：13 Pages	TI 德州仪器	TI
TPS1101PWRG4	SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS 文件：495.85 Kbytes Page：13 Pages	TI 德州仪器	TI
TPS1101Y	SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS 文件：161.41 Kbytes Page：10 Pages	TI 德州仪器	TI
TPS1101YDW	SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS 文件：161.41 Kbytes Page：10 Pages	TI 德州仪器	TI

TPS110产品属性

类型
描述
型号
TPS110
制造商
TI
制造商全称
Texas Instruments
功能描述
SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS

TPS110供应商更多...

更新时间：2025-12-25 9:31:00

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市创新迹电子有限公司	TPS1100YD	原厂	22+	N/A	20000	只做原装	询价
深圳市赛美科科技有限公司	TPS1100YD	TI		SOP8	4577	一级代理原装正品假一罚十价格优势长期供货	询价
深圳市安富世纪电子有限公司	TPS1100YD	TI/德州仪器	23+	SOP8	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
深圳市亚泰盈科电子有限公司	TPS1100YD	TI	25+	SOP8	3995	全新现货	询价
深圳市宇集芯电子有限公司	TPS1100YD	TI	24+	SOP8	90000	一级代理商进口原装现货、假一罚十价格合理	询价
深圳市博中泰实业有限公司	TPS1100YD	TI/德州仪器	24+	SOP8	60000		询价
京海半导体(深圳)有限公司	TPS1100YD	TI	21+	SOP8	10000	原装现货假一罚十	询价
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深圳和润天下电子科技有限公司	TPS1100YD	TI	SOP8	21+	4577	原装正品现货支持BOM配单!	询价

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