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位置：首页 > IC中文资料第5881页 > TPS1101

TPS1101价格

参考价格：￥7.5268

型号：TPS1101D 品牌：TI 备注：这里有TPS1101多少钱，2026年最近7天走势，今日出价，今日竞价，TPS1101批发/采购报价，TPS1101行情走势销售排行榜，TPS1101报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
TPS1101

SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS

Low rDS(on) . . . 0.09 W Typ at VGS = –10 V 3 V Compatible Requires No External VCC TTL and CMOS Compatible Inputs VGS(th) = –1.5 V Max Available in Ultrathin TSSOP Package (PW) ESD Protection Up to 2 kV per MIL-STD-883C, Method 3015 description The TPS1101 is a single, low-rDS(on), P-c

TI

德州仪器

TPS1101

单路 P 沟道增强-模式 MOSFET

The TPS1101 is a single, low-rDS(on), P-channel, enhancement-mode MOSFET. The device has been optimized for 3-V or 5-V power distribution in battery-powered systems by means of the Texas Instruments LinBiCMOSTM process. With a maximum VGS(th) of -1.5 V and an IDSS of only 0.5 uA, the TPS1101 is the • Low rDS(on) . . . 0.09 Typ at VGS = -10 V\n• Requires No External VCC\n• VGS(th) = -1.5 V Max\n• ESD Protection Up to 2 kV per MIL-STD-883C, Method 3015;

TI

德州仪器

TPS1101

SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS

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TI

德州仪器

TPS1101

SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS

文件：161.41 Kbytes Page：10 Pages

TI

德州仪器

TPS1101D

丝印代码：1101；SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS

Low rDS(on) . . . 0.09 W Typ at VGS = –10 V 3 V Compatible Requires No External VCC TTL and CMOS Compatible Inputs VGS(th) = –1.5 V Max Available in Ultrathin TSSOP Package (PW) ESD Protection Up to 2 kV per MIL-STD-883C, Method 3015 description The TPS1101 is a single, low-rDS(on), P-c

TI

德州仪器

TPS1101D.A

丝印代码：1101；SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS

Low rDS(on) . . . 0.09 W Typ at VGS = –10 V 3 V Compatible Requires No External VCC TTL and CMOS Compatible Inputs VGS(th) = –1.5 V Max Available in Ultrathin TSSOP Package (PW) ESD Protection Up to 2 kV per MIL-STD-883C, Method 3015 description The TPS1101 is a single, low-rDS(on), P-c

TI

德州仪器

TPS1101-D32

Low Capacitance Bi-directional ESD DIODE

Features | o Low operating voltage: 1V « Ultra low capacitance: 0.2pF (Typ) « Ultra low leakage: nA level o Low clamping voltage IEC 61000-4-2 (ESD) immunity test Air discharge: £15kV Contact discharge: +12kV/ —~IEC61000-4-4 (EFT) 40A (5/50ns) —~IEC61000-4-5 (Lightning) 4A (8/20ps) o 2

TECHPUBLIC

台舟电子

TPS1101DR

丝印代码：1101；SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS

Low rDS(on) . . . 0.09 W Typ at VGS = –10 V 3 V Compatible Requires No External VCC TTL and CMOS Compatible Inputs VGS(th) = –1.5 V Max Available in Ultrathin TSSOP Package (PW) ESD Protection Up to 2 kV per MIL-STD-883C, Method 3015 description The TPS1101 is a single, low-rDS(on), P-c

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TPS1101DR.A

丝印代码：1101；SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS

Low rDS(on) . . . 0.09 W Typ at VGS = –10 V 3 V Compatible Requires No External VCC TTL and CMOS Compatible Inputs VGS(th) = –1.5 V Max Available in Ultrathin TSSOP Package (PW) ESD Protection Up to 2 kV per MIL-STD-883C, Method 3015 description The TPS1101 is a single, low-rDS(on), P-c

TI

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TPS1101PWLE

SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS

Low rDS(on) . . . 0.09 W Typ at VGS = –10 V 3 V Compatible Requires No External VCC TTL and CMOS Compatible Inputs VGS(th) = –1.5 V Max Available in Ultrathin TSSOP Package (PW) ESD Protection Up to 2 kV per MIL-STD-883C, Method 3015 description The TPS1101 is a single, low-rDS(on), P-c

TI

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TPS1101PWR

丝印代码：PS1101；SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS

Low rDS(on) . . . 0.09 W Typ at VGS = –10 V 3 V Compatible Requires No External VCC TTL and CMOS Compatible Inputs VGS(th) = –1.5 V Max Available in Ultrathin TSSOP Package (PW) ESD Protection Up to 2 kV per MIL-STD-883C, Method 3015 description The TPS1101 is a single, low-rDS(on), P-c

TI

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TPS1101PWR.A

丝印代码：PS1101；SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS

Low rDS(on) . . . 0.09 W Typ at VGS = –10 V 3 V Compatible Requires No External VCC TTL and CMOS Compatible Inputs VGS(th) = –1.5 V Max Available in Ultrathin TSSOP Package (PW) ESD Protection Up to 2 kV per MIL-STD-883C, Method 3015 description The TPS1101 is a single, low-rDS(on), P-c

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德州仪器

TPS1101PWR.B

丝印代码：PS1101；SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS

Low rDS(on) . . . 0.09 W Typ at VGS = –10 V 3 V Compatible Requires No External VCC TTL and CMOS Compatible Inputs VGS(th) = –1.5 V Max Available in Ultrathin TSSOP Package (PW) ESD Protection Up to 2 kV per MIL-STD-883C, Method 3015 description The TPS1101 is a single, low-rDS(on), P-c

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TPS1101Y

SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS

Low rDS(on) . . . 0.09 W Typ at VGS = –10 V 3 V Compatible Requires No External VCC TTL and CMOS Compatible Inputs VGS(th) = –1.5 V Max Available in Ultrathin TSSOP Package (PW) ESD Protection Up to 2 kV per MIL-STD-883C, Method 3015 description The TPS1101 is a single, low-rDS(on), P-c

TI

德州仪器

TPS1101_12

SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS

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TI

德州仪器

TPS1101D

SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS

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TI

德州仪器

TPS1101D

SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS

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TI

德州仪器

TPS1101DG4

SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS

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TI

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TPS1101DR

SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS

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TI

德州仪器

TPS1101DRG4

SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS

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TI

德州仪器

TPS1101DRG4

P-Channel 12-V (D-S) MOSFET

文件：899.06 Kbytes Page：6 Pages

VBSEMI

微碧半导体

TPS1101DW

SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS

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TI

德州仪器

TPS1101PW

SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS

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TI

德州仪器

TPS1101PWLE

SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS

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TI

德州仪器

TPS1101PWLE

SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS

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TI

德州仪器

TPS1101PWR

SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS

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TI

德州仪器

TPS1101PWRG4

SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS

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TI

德州仪器

TPS1101WA-TR

包装：散装 描述：LED INDICATION SMD 光电器件 LED 指示 - 分立

STANLEY

STANLEY ELECTRIC CO.,LTD.

TPS1101Y

SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS

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TI

德州仪器

TPS1101YDW

SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS

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TI

德州仪器

TPS1101YPW

SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS

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TI

德州仪器

BF1101

N-channel dual-gate MOS-FETs

DESCRIPTION Enhancement type N-channel field-effect transistor with source and substrate interconnected. Integrated diodes between gates and source protect against excessive input voltage surges. The BF1101, BF1101R and BF1101WR are encapsulated in the SOT143B, SOT143R and SOT343R plastic package

PHILIPS

飞利浦

BF1101R

N-channel dual-gate MOS-FETs

DESCRIPTION Enhancement type N-channel field-effect transistor with source and substrate interconnected. Integrated diodes between gates and source protect against excessive input voltage surges. The BF1101, BF1101R and BF1101WR are encapsulated in the SOT143B, SOT143R and SOT343R plastic package

PHILIPS

飞利浦

NTE1101

Integrated Circuit General Purpose Amp, Mixer, and Oscillator

Features: • General Amplifier Circuit • High Frequency Amplifier • Mixer, OSC and Modulator • Video Amplifier • Recommend RF and IF Amplifier (f = 0 to 100MHz) • AGC is possible

NTE

SAA1101

Universal sync generator USG

GENERAL DESCRIPTION The SAA1101 is a Universal Sync Generator (USG) and is designed for application in video sources such as cameras, film scanners, video generators and associated apparatus. The circuit can be considered as a successor to the SAA1043 sync generator and the SAA1044 subcarrier cou

PHILIPS

飞利浦

NJG1101F

WIDE BAND AGC AMPLIFIER GaAs MMIC

文件：337.64 Kbytes Page：15 Pages

NJRC

日本无线

TPS1101产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    TPS1101

  • 制造商

    TI

  • 制造商全称

    Texas Instruments

  • 功能描述

    SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS

TPS1101供应商更多...

更新时间：2026-5-18 16:15:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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