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STGWA80H65FBAG

Automotive-grade trench gate field-stop 650 V, 80 A high speed HB series IGBT in a TO-247 long leads

Features AEC-Q101 qualified Maximum junction temperature: TJ = 175 °C High-speed switching series Minimized tail current VCE(sat) = 1.65 V (typ.) @ IC = 80 A Tight parameters distribution Safer paralleling Low thermal resistance Applications PFC High frequency converters Descriptio

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意法半导体

Tight parameter distribution

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意法半导体

Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 80 A high speed

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意法半导体

High speed switching series

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意法半导体

Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 80 A high speed

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意法半导体

Low thermal resistance

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意法半导体

更新时间:2025-8-18 20:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST/意法
24+
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