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STGW80H65FB

Low thermal resistance

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意法半导体

STGW80H65FB

封装/外壳:TO-247-3 包装:卷带(TR) 描述:IGBT 650V 120A 469W TO-247 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

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意法半导体

封装/外壳:TO-247-4 包装:管件 描述:IGBT BIPO 650V 80A TO247 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

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意法半导体

Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 80 A high speed

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意法半导体

Safe paralleling

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High speed switching series

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Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 80 A high speed

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Tight parameter distribution

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Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 80 A high speed

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更新时间:2026-1-4 17:19:00
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