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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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STGWA80H65DFB | Tight parameter distribution 文件：908.74 Kbytes Page：17 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 |   | |
STGWA80H65DFB | Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 80 A high speed 文件：1.46448 Mbytes Page：22 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | | |
STGWA80H65DFB | 封装/外壳：TO-247-3 包装：管件 描述：IGBT BIPO 650V 80A TO247-3 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | | |
Automotive-grade trench gate field-stop 650 V, 80 A high speed HB series IGBT in a TO-247 long leads Features • AEC-Q101 qualified • High-speed switching series • Maximum junction temperature: TJ = 175 °C • Low VCE(sat) = 1.65 V (typ.) @ IC = 80 A • Minimized tail current • Tight parameter distribution • Positive temperature VCE(sat) coefficient • Soft and very fast recovery antiparallel | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | | ||
High speed switching series 文件：978.33 Kbytes Page：18 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | | ||
Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 80 A high speed 文件：1.46448 Mbytes Page：22 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | | ||
Low thermal resistance 文件：1.47608 Mbytes Page：18 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST(意法半导体) |
24+ |
TO-247 |
928 |
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务 |
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ST/ |
22+23+ |
TO-247 |
8000 |
新到现货，只做原装进口 |
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ST/意法 |
25+ |
原厂原封可拆样 |
64687 |
百分百原装现货 实单必成 欢迎询价 |
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ST/意法半导体 |
25+ |
原厂封装 |
10280 |
原厂授权代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源！ |
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ST/支持实单 |
15+16+ |
TO-247 |
520 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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ST/意法 |
25+ |
TO-247 |
32000 |
ST/意法全新特价STGWA80H65DFB即刻询购立享优惠#长期有货 |
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ST |
2301+ |
TO-247 |
10000 |
全新、原装 |
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ST |
23+ |
TO-247 long leads |
12500 |
ST系列在售,可接长单 |
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ST(意法) |
24+ |
TO-247-3 |
7138 |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
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ST/意法 |
21+ |
TO-247 |
8000 |
优势供应 实单必成 可开增值税13点 |
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2020-7-9
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