STGWA50M65DF2
类别
分立半导体产品
晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
制造商
STMicroelectronics
系列
M
包装
管件
Product Status
在售
IGBT 类型
沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）
650 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
80 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)
150 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
2.1V @ 15V，50A
功率 - 最大值
375 W
开关能量
880μJ（开），1.57mJ（关）
输入类型
标准
栅极电荷
150 nC
25°C 时 Td（开/关）值
42ns/130ns
测试条件
400V，50A，6.8 欧姆，15V
反向恢复时间 (trr)
162 ns
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-247-3
供应商器件封装
TO-247 长引线
基本产品编号
STGWA50
VNH3SP30TR-E
STM32H743IIK6
VNH7040AYTR
VND7004AYTR
SPC560B60L5B6E0X
