STGW30NC60VD价格

参考价格:¥13.8253

型号:STGW30NC60VD 品牌:STMicroelectronics 备注:这里有STGW30NC60VD多少钱,2026年最近7天走势,今日出价,今日竞价,STGW30NC60VD批发/采购报价,STGW30NC60VD行情走势销售排行榜,STGW30NC60VD报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
STGW30NC60VD

N-channel 40A - 600V - TO-247 Very fast switching PowerMESH TM IGBT

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意法半导体

STGW30NC60VD

封装/外壳:TO-247-3 包装:管件 描述:IGBT 600V 80A 250W TO247 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

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意法半导体

STGW30NC60VD

40 A、600 V超快IGBT,带超高速二极管

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意法半导体

30 A - 600 V - short circuit rugged IGBT

Description This IGBT utilizes the advanced PowerMESH™ process resulting in an excellent trade-off between switching performance and low on-state behavior. Features ■ Low on-voltage drop (VCE(sat)) ■ Low Cres / Cies ratio (no cross conduction susceptibility) ■ Short circuit withstand time 10

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意法半导体

30 A - 600 V - short circuit rugged IGBT

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意法半导体

30 A - 600 V - ultra fast IGBT

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意法半导体

30 A - 600 V - short circuit rugged IGBT

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意法半导体

N-channel 30A - 600V - TO-247 - TO-220 Ultra fast switching PowerMESH TM IGBT

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意法半导体

STGW30NC60VD产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    STGW30NC60VD

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 PowerMESH

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2026-3-1 16:16:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST/意法
16+
TO-247
2999
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
STMicroelectronics
25+
N/A
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正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐
ST/意法半导体
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Si
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正规渠道,只有原装!
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TO-247-3
169
ST/意法半导体
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Si
8860
只做原装,质量保证
ST/意法半导体
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原厂封装
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原厂授权代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源!
ST
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TO-247
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一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货
ST/意法半导体
22+
Si
20000
原装 品质保证
ST(意法)
25+
TO-247-3
500000
源自原厂成本,高价回收工厂呆滞
ST/意法半导体
24+
Si
16960
原装正品现货支持实单

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