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GW30NC60KD

30 A - 600 V - short circuit rugged IGBT

Description This IGBT utilizes the advanced PowerMESH™ process resulting in an excellent trade-off between switching performance and low on-state behavior. Features ■ Low on-voltage drop (VCE(sat)) ■ Low Cres / Cies ratio (no cross conduction susceptibility) ■ Short circuit withstand time 10

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意法半导体

GW30NC60KD

30 A - 600 V - short circuit rugged IGBT

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意法半导体

30 A - 600 V - short circuit rugged IGBT

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意法半导体

30 A - 600 V - ultra fast IGBT

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意法半导体

30 A - 600 V - short circuit rugged IGBT

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意法半导体

N-channel 30A - 600V - TO-247 - TO-220 Ultra fast switching PowerMESH TM IGBT

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GW30NC60KD产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    GW30NC60KD

  • 制造商

    STMICROELECTRONICS

  • 制造商全称

    STMicroelectronics

  • 功能描述

    30 A - 600 V - short circuit rugged IGBT

更新时间:2026-1-29 8:18:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST/意法
24+
TO-247
37935
郑重承诺只做原装进口现货
GW
24+
SMD
153000
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144000
新进库存/原装
ST/意法
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QFN8
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