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GB30NC60W

30 A - 600 V - ultra fast IGBT

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意法半导体

30 A - 600 V - short circuit rugged IGBT

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意法半导体

30 A - 600 V - short circuit rugged IGBT

Description This IGBT utilizes the advanced PowerMESH™ process resulting in an excellent trade-off between switching performance and low on-state behavior. Features ■ Low on-voltage drop (VCE(sat)) ■ Low Cres / Cies ratio (no cross conduction susceptibility) ■ Short circuit withstand time 10

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30 A - 600 V - short circuit rugged IGBT

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意法半导体

N-channel 30A - 600V - TO-247 - TO-220 Ultra fast switching PowerMESH TM IGBT

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意法半导体

更新时间:2025-10-1 20:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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