STGP30NC60K价格

参考价格:¥9.4388

型号:STGP30NC60K 品牌:STMicroelectronics 备注:这里有STGP30NC60K多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,STGP30NC60K批发/采购报价,STGP30NC60K行情走势销售排行榜,STGP30NC60K报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
STGP30NC60K

30 A - 600 V - short circuit rugged IGBT

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STMICROELECTRONICS

意法半导体

STGP30NC60K

封装/外壳:TO-220-3 包装:卷带(TR) 描述:IGBT 600V 60A 185W TO220AB 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

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意法半导体

STGP30NC60K

30 A - 600 V - short circuit rugged IGBT

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意法半导体

30 A - 600 V - short circuit rugged IGBT

Description This IGBT utilizes the advanced PowerMESH™ process resulting in an excellent trade-off between switching performance and low on-state behavior. Features ■ Low on-voltage drop (VCE(sat)) ■ Low Cres / Cies ratio (no cross conduction susceptibility) ■ Short circuit withstand time 10

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意法半导体

30 A - 600 V - short circuit rugged IGBT

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意法半导体

30 A - 600 V - ultra fast IGBT

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意法半导体

30 A - 600 V - short circuit rugged IGBT

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意法半导体

N-channel 30A - 600V - TO-247 - TO-220 Ultra fast switching PowerMESH TM IGBT

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意法半导体

STGP30NC60K产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    STGP30NC60K

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 30 A-600 V Rugged IGBT

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-11-21 16:50:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST全系列
25+23+
TO-220
25874
绝对原装正品全新进口深圳现货
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原厂封装
50000
15年芯片行业经验/只供原装正品:0755-83268898邹小姐
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原厂封装
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原装进口公司现货假一赔百
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TO-220-3
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TO220AB
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只做原装现货
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24+
N/A
5000
原装分货 强势渠道
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24+
NA
3005
进口原装正品优势供应
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17+
TO-220
31518
原装正品 可含税交易

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