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STGP19NC60H价格

参考价格：￥18.4095

型号：STGP19NC60H 品牌：STMicroelectronics 备注：这里有STGP19NC60H多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，STGP19NC60H批发/采购报价，STGP19NC60H行情走势销售排行榜，STGP19NC60H报价。

型号	功能描述	生产厂家&企业	LOGO	操作
STGP19NC60H	19A-600V-veryfastIGBT Description ThisIGBTutilizestheadvancedPowerMESH™ processresultinginanexcellenttrade-off betweenswitchingperformanceandlowon-state behavior. Features ■Lowon-voltagedrop(VCE(sat)) ■Highfrequencyoperation Applications ■Highfrequencymotordrives ■SMPSandPFCi	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团
STGP19NC60H	封装/外壳：TO-220-3 包装：管件描述：IGBT 600V 40A 130W TO220 分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团
STGP19NC60H	19A-600V-veryfastIGBT 文件：318.68 Kbytes Page：14 Pages	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团
STGP19NC60HD	19A-600V-veryfastIGBTE[ 文件：524.83 Kbytes Page：18 Pages	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团
STGP19NC60HD	19A-600V-veryfastIGBT 文件：511.88 Kbytes Page：18 Pages	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团
STGP19NC60HD	19A-600V-veryfastIGBT 文件：724.64 Kbytes Page：17 Pages	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团
STGP19NC60HD	封装/外壳：TO-220-3 包装：管件描述：IGBT 600V 40A 130W TO220 分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团
GB19NC60H	19A-600V-veryfastIGBT Description ThisIGBTutilizestheadvancedPowerMESH™ processresultinginanexcellenttrade-off betweenswitchingperformanceandlowon-state behavior. Features ■Lowon-voltagedrop(VCE(sat)) ■Highfrequencyoperation Applications ■Highfrequencymotordrives ■SMPSandPFCi	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团
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GB19NC60K	20A-600V-shortcircuitruggedIGBT 文件：524.51 Kbytes Page：15 Pages	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团
GB19NC60KD	20A-600V-shortcircuitruggedIGBT 文件：586.14 Kbytes Page：17 Pages	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团
GF19NC60HD	N-channel600V-9A-TO-220FPVeryfastPowerMESHTMIGBT 文件：276.6 Kbytes Page：14 Pages	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团

STGP19NC60H产品属性

类型
描述
型号
STGP19NC60H
功能描述
IGBT 晶体管 19 A - 600 V very fast IGBT
RoHS
否
制造商
Fairchild Semiconductor
配置
集电极—发射极最大电压
VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
2.3 V
栅极/发射极最大电压
20 V 在25
C的连续集电极电流
150 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
功率耗散
187 W
封装/箱体
TO-247
封装
Tube

STGP19NC60H供应商更多...

更新时间：2025-6-4 15:14:00

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