STGP19NC60H价格

参考价格:¥18.4095

型号:STGP19NC60H 品牌:STMicroelectronics 备注:这里有STGP19NC60H多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,STGP19NC60H批发/采购报价,STGP19NC60H行情走势销售排行榜,STGP19NC60H报价。
型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
STGP19NC60H

19 A - 600 V - very fast IGBT

Description This IGBT utilizes the advanced PowerMESH™ process resulting in an excellent trade-off between switching performance and low on-state behavior. Features ■ Low on-voltage drop (VCE(sat)) ■ High frequency operation Applications ■ High frequency motor drives ■ SMPS and PFC i

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体集团

STMICROELECTRONICS
STGP19NC60H

封装/外壳:TO-220-3 包装:管件 描述:IGBT 600V 40A 130W TO220 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

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19 A - 600 V - very fast IGBT

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19 A - 600 V - very fast IGBTE[

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封装/外壳:TO-220-3 包装:管件 描述:IGBT 600V 40A 130W TO220 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

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19 A - 600 V - very fast IGBT

Description This IGBT utilizes the advanced PowerMESH™ process resulting in an excellent trade-off between switching performance and low on-state behavior. Features ■ Low on-voltage drop (VCE(sat)) ■ High frequency operation Applications ■ High frequency motor drives ■ SMPS and PFC i

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20 A - 600 V - short circuit rugged IGBT

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N-channel 600V - 9A - TO-220FP Very fast PowerMESH TM IGBT

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STGP19NC60H产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    STGP19NC60H

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 19 A - 600 V very fast IGBT

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-8-6 13:40:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST/意法
24+
TO220
300
只做原厂渠道 可追溯货源
ST/意法
24+
TO220
880000
明嘉莱只做原装正品现货
ST
2405+
原厂封装
50000
15年芯片行业经验/只供原装正品:0755-83268892邹小姐
ST
24+
TO220ABNONISOL
8866
ST/意法半导体
23+
TO-220-3
12700
买原装认准中赛美
ST
22+
NA
12000
原装正品支持实单
ST
2024+
N/A
70000
柒号只做原装 现货价秒杀全网
ST
23+
TO-220
8560
受权代理!全新原装现货特价热卖!
ST/意法
25+
原厂原封可拆
54685
百分百原装现货有单来谈
ST
2511
TO-220
16900
电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价

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