STGP19NC60HD价格

参考价格:¥6.1996

型号:STGP19NC60HD 品牌:STMICROELECTRONICS 备注:这里有STGP19NC60HD多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,STGP19NC60HD批发/采购报价,STGP19NC60HD行情走势销售排行榜,STGP19NC60HD报价。
型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
STGP19NC60HD

19 A - 600 V - very fast IGBTE[

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意法半导体

STGP19NC60HD

19 A - 600 V - very fast IGBT

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意法半导体

STGP19NC60HD

19 A - 600 V - very fast IGBT

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意法半导体

STGP19NC60HD

封装/外壳:TO-220-3 包装:管件 描述:IGBT 600V 40A 130W TO220 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

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意法半导体

19 A - 600 V - very fast IGBT

Description This IGBT utilizes the advanced PowerMESH™ process resulting in an excellent trade-off between switching performance and low on-state behavior. Features ■ Low on-voltage drop (VCE(sat)) ■ High frequency operation Applications ■ High frequency motor drives ■ SMPS and PFC i

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意法半导体

19 A - 600 V - very fast IGBT

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意法半导体

20 A - 600 V - short circuit rugged IGBT

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意法半导体

20 A - 600 V - short circuit rugged IGBT

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意法半导体

N-channel 600V - 9A - TO-220FP Very fast PowerMESH TM IGBT

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STGP19NC60HD产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    STGP19NC60HD

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 19 A - 600 V very fast IGBT

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-8-12 23:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST(意法半导体)
24+
TO-220
942
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ST/意法
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