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GB19NC60KD

20A-600V-shortcircuitruggedIGBT

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意法半导体意法半导体(ST)集团

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19A-600V-veryfastIGBT

Description ThisIGBTutilizestheadvancedPowerMESH™ processresultinginanexcellenttrade-off betweenswitchingperformanceandlowon-state behavior. Features ■Lowon-voltagedrop(VCE(sat)) ■Highfrequencyoperation Applications ■Highfrequencymotordrives ■SMPSandPFCi

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更新时间:2024-5-24 16:06:00
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