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GB19NC60KD

20 A - 600 V - short circuit rugged IGBT

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STMICROELECTRONICS

意法半导体

GB19NC60KD

20 A - 600 V - short circuit rugged IGBT

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意法半导体

19 A - 600 V - very fast IGBT

Description This IGBT utilizes the advanced PowerMESH™ process resulting in an excellent trade-off between switching performance and low on-state behavior. Features ■ Low on-voltage drop (VCE(sat)) ■ High frequency operation Applications ■ High frequency motor drives ■ SMPS and PFC i

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意法半导体

19 A - 600 V - very fast IGBT

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意法半导体

20 A - 600 V - short circuit rugged IGBT

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意法半导体

N-channel 600V - 9A - TO-220FP Very fast PowerMESH TM IGBT

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更新时间:2025-9-23 11:16:00
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