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STGP10NB60S价格

参考价格：￥5.4137

型号：STGP10NB60S 品牌：STMICROELECTRONICS 备注：这里有STGP10NB60S多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，STGP10NB60S批发/采购报价，STGP10NB60S行情走势销售排行榜，STGP10NB60S报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
STGP10NB60S

N-CHANNEL 10A - 600V TO-220 PowerMESH IGBT

DESCRIPTION Using the latest high voltage technology based on a patented strip layout, STMicroelectronics has designed an advanced family of IGBTs, the Pow erMESH™ IGBTs, with outstanding performances. The suffix “S” identifies a family optimized achieve minimum on-voltage drop for low frequenc

STMICROELECTRONICS

意法半导体

STGP10NB60S

N-CHANNEL 10A - 600V - TO-220/TO-220FP/D2PAK PowerMESH TM IGBT

文件：387.24 Kbytes Page：13 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

STGP10NB60S

封装/外壳：TO-220-3 包装：管件 描述：IGBT 600V 29A 80W TO220 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

STMICROELECTRONICS

意法半导体

STGP10NB60S

16 A、600 V低压降IGBT

STMICROELECTRONICS

意法半导体

STGP10NB60SD

N-CHANNEL 10A - 600V - TO-220 Low Drop PowerMESH TM IGBT

Description Using the latest high voltage technology based on a patented strip layout, STMicroelectronics has designed an advanced family of IGBTs, the PowerMESH™ IGBTs, with outstanding performances. The suffix S identifies a family optimized achieve minimum on-voltage drop for low frequency a

STMICROELECTRONICS

意法半导体

STGP10NB60SDFP

N-CHANNEL 10A - 600V - TO-220FP PowerMesh??IGBT

DESCRIPTION Using the latest high voltage technology based on a patented strip layout, STMicroelectronics has designed an advanced family of IGBTs, the PowerMESH™ IGBTs, with outstanding performances. The suffix “S” identifies a family optimized achieve minimum on-voltage drop for low frequency

STMICROELECTRONICS

意法半导体

STGP10NB60SFP

N-CHANNEL 10A - 600V - TO-220FP PowerMesh??IGBT

DESCRIPTION Using the latest high voltage technology based on a patented strip layout, STMicroelectronics has designed an advanced family of IGBTs, the Pow erMESH™ IGBTs, with outstanding performances. The suffix “S” identifies a family optimized achieve minimum on-voltage drop for low frequenc

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意法半导体

STGP10NB60S_05

N-CHANNEL 10A - 600V - TO-220/TO-220FP/D2PAK PowerMESH TM IGBT

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意法半导体

STGP10NB60SD

16 A、600 V低压降IGBT，带柔软、恢复速度极快的二极管

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意法半导体

STGP10NB60SFP

封装/外壳：TO-220-3 整包 包装：管件 描述：IGBT 600V 23A 25W TO220 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

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意法半导体

STGP10NB60SFP

N-CHANNEL 10A - 600V - TO-220/TO-220FP/D2PAK PowerMESH TM IGBT

文件：387.24 Kbytes Page：13 Pages

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意法半导体

GP10NB60SD

N-CHANNEL 10A - 600V - TO-220 Low Drop PowerMESH TM IGBT

Description Using the latest high voltage technology based on a patented strip layout, STMicroelectronics has designed an advanced family of IGBTs, the PowerMESH™ IGBTs, with outstanding performances. The suffix S identifies a family optimized achieve minimum on-voltage drop for low frequency a

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意法半导体

GB10NB60S

N-CHANNEL 10A - 600V - TO-220/TO-220FP/D2PAK PowerMESH TM IGBT

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意法半导体

GF10NB60SD

N-channel 10A - 600V - TO-220FP PowerMESH TM IGBT

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GP10NB60S

N-CHANNEL 10A - 600V - TO-220/TO-220FP/D2PAK PowerMESH TM IGBT

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意法半导体

GP10NB60SFP

N-CHANNEL 10A - 600V - TO-220/TO-220FP/D2PAK PowerMESH TM IGBT

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STGP10NB60S产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    STGP10NB60S

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 N-Ch 600 Volt 10 Amp

  • RoHS

    否

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

STGP10NB60S供应商更多...

更新时间：2025-11-17 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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ST/意法半导体
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