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位置：首页 > IC中文资料第5243页 > STGIPS10K60T

STGIPS10K60T价格

参考价格：￥46.4241

型号：STGIPS10K60T 品牌：STMicroelectronics 备注：这里有STGIPS10K60T多少钱，2024年最近7天走势，今日出价，今日竞价，STGIPS10K60T批发/采购报价，STGIPS10K60T行情走势销售排行榜，STGIPS10K60T报价。
型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
STGIPS10K60T

SLLIMM(smalllow-lossintelligentmoldedmodule)IPM,3-phaseinverter-10A,600Vshort-circuitruggedIGBT

文件：934.65 Kbytes Page：20 Pages

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体（ST）集团

STMICROELECTRONICS
STGIPS10K60T

封装/外壳：25-PowerDIP 模块（0.993"，25.23mm） 包装：卷带（TR） 描述：MOD IPM 600V 10A 25-SDIP 分立半导体产品 功率驱动器模块

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体（ST）集团

STMICROELECTRONICS
STGIPS10K60T-H

封装/外壳：25-PowerDIP 模块（0.993"，25.23mm） 包装：散装 描述：MOD IGBT SLLIMM 10A 600V 25SDIP 分立半导体产品 功率驱动器模块

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体（ST）集团

STMICROELECTRONICS
STGIPS10K60T-H

Short-circuitruggedIGBTs

文件：688.74 Kbytes Page：19 Pages

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体（ST）集团

STMICROELECTRONICS
PMD10K60

SILICONPOWERDARLINGTRANSISTORSl

SILICONPOWERDARLINGTONTRANSISTORS

CentralCentral Semiconductor Corp

美国中央半导体

Central
PMD10K60

PowerTransistors

PowerTransistors TO-3Case(Continued)

CentralCentral Semiconductor Corp

美国中央半导体

Central
PMD10K60

iscSiliconNPNDarlingtionPowerTransistor

DESCRIPTION •HighDCcurrentgain •Collector-EmitterSustainingVoltage-VCEO(SUS)=60V(Min) •ComplementtotypePMD11K60 APPLICATIONS •Designedforgeneralpurposeamplifierandlowfrequencyswitchingapplications

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
PMD10K60

SiliconNPNDarlingtionPowerTransistor

DESCRIPTION •HighDCcurrentgain •Collector-EmitterSustainingVoltage-VCEO(SUS)=60V(Min) •ComplementtotypePMD11K60 APPLICATIONS •Designedforgeneralpurposeamplifierandlowfrequencyswitchingapplications

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司

NJSEMI
GHFC10K60

SOLID-STATEFREQUENCYCONVERTERS

文件：537.87 Kbytes Page：2 Pages

Nova

NOVA electronics，Inc.

Nova

STGIPS10K60T产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    STGIPS10K60T

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 SLLIMM IPM 3-Phase 10A 600V Rugged IGBT

  • RoHS

    否

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

STGIPS10K60T供应商更多...

更新时间：2024-4-25 9:30:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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STGIPS10K60T
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STGIPS10K60T
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