STGF10NB60SD价格

参考价格:¥4.2402

型号:STGF10NB60SD 品牌:STMICROELECTRONICS 备注:这里有STGF10NB60SD多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,STGF10NB60SD批发/采购报价,STGF10NB60SD行情走势销售排行榜,STGF10NB60SD报价。
型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
STGF10NB60SD

N-CHANNEL 10A - 600V TO-220FP PowerMESH IGBT

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意法半导体

STGF10NB60SD

N-channel 10A - 600V - TO-220FP PowerMESH TM IGBT

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意法半导体

STGF10NB60SD

封装/外壳:TO-220-3 整包 包装:管件 描述:IGBT 600V 23A 25W TO220FP 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

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意法半导体

N-channel 10A - 600V - TO-220FP PowerMESH TM IGBT

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意法半导体

N-CHANNEL 10A - 600V - TO-220 Low Drop PowerMESH TM IGBT

Description Using the latest high voltage technology based on a patented strip layout, STMicroelectronics has designed an advanced family of IGBTs, the PowerMESH™ IGBTs, with outstanding performances. The suffix S identifies a family optimized achieve minimum on-voltage drop for low frequency a

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意法半导体

N-CHANNEL 10A - 600V - TO-220/TO-220FP/D2PAK PowerMESH TM IGBT

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N-channel 10A - 600V - TO-220FP PowerMESH TM IGBT

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意法半导体

N-CHANNEL 10A - 600V - TO-220/TO-220FP/D2PAK PowerMESH TM IGBT

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意法半导体

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STGF10NB60SD产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    STGF10NB60SD

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 N-Ch 600 Volt 10 Amp

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-8-12 15:50:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST/意法半导体
23+
N/A
20000
ST/意法半导体
24+
TO-220-3 FP
6000
全新原装深圳仓库现货有单必成
ST
2025+
TO-220FP
3577
全新原厂原装产品、公司现货销售
ST
22+
TO220FP
9000
原厂渠道,现货配单
ST/意法半导体
21+
TO-220-3 FP
8860
只做原装,质量保证
ST/意法
24+
NA
568
原装现货,专业配单专家
ST/意法
22+
N/A
9950
现货,原厂原装假一罚十!
ST(意法)
23+
NA
20094
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持
STM
1706+
IGBT??
6800
只做原装进口,假一罚十
ST/意法半导体
23+
TO-220-3 FP
16900
公司只做原装,可来电咨询

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