STGE50NC60WD价格

参考价格:¥80.7648

型号:STGE50NC60WD 品牌:STMICROELECTRONICS 备注:这里有STGE50NC60WD多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,STGE50NC60WD批发/采购报价,STGE50NC60WD行情走势销售排行榜,STGE50NC60WD报价。
型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
STGE50NC60WD

N-channel 50A - 600V - ISOTOP Ultra fast switching PowerMESHTM IGBT

文件:289.28 Kbytes Page:14 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

STGE50NC60WD

封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC 包装:盒 描述:IGBT MOD 600V 100A 260W ISOTOP 分立半导体产品 晶体管 - IGBT - 模块

STMICROELECTRONICS

意法半导体

N-channel 50A - 600V - ISOTOP Very fast PowerMESTM IGBT

文件:292.62 Kbytes Page:14 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

Trench and Field Stop IGBT

DESCRIPTION ·Low Saturation Voltage:VCE(sat)=2.5V@IC=40A ·High Current Capability ·High Input Impedance ·Fast Swithching ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS ·Synchronous Rectification in SMPS ·Automotive Chargers ·UPS,PFC ·Hig

ISC

无锡固电

N-channel 600V - 50A - Max247 Very fast PowerMESH IGBT

文件:134.48 Kbytes Page:11 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

N-channel 600V - 55A - TO-247

文件:289.15 Kbytes Page:14 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

STGE50NC60WD产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    STGE50NC60WD

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 N-Ch 600volt 50 Amp

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-8-15 23:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST/意法
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NA/
50
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
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ST/意法半导体
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TO-220-3 FP
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1716+
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7500
只做原装进口,假一罚十

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