STGY50NC60WD价格

参考价格:¥55.0103

型号:STGY50NC60WD 品牌:STMicroelectronics 备注:这里有STGY50NC60WD多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,STGY50NC60WD批发/采购报价,STGY50NC60WD行情走势销售排行榜,STGY50NC60WD报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
STGY50NC60WD

Trench and Field Stop IGBT

DESCRIPTION ·Low Saturation Voltage:VCE(sat)=2.5V@IC=40A ·High Current Capability ·High Input Impedance ·Fast Swithching ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS ·Synchronous Rectification in SMPS ·Automotive Chargers ·UPS,PFC ·Hig

ISC

无锡固电

STGY50NC60WD

封装/外壳:TO-247-3 包装:管件 描述:IGBT 600V 110A 278W MAX247 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

STMICROELECTRONICS

意法半导体

STGY50NC60WD

极快“W”系列

STMICROELECTRONICS

意法半导体

STGY50NC60WD

N-channel 600V - 50A - Max247 Very fast PowerMESH IGBT

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意法半导体

N-channel 600V - 50A - Max247 Very fast PowerMESH IGBT

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意法半导体

N-channel 50A - 600V - ISOTOP Very fast PowerMESTM IGBT

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意法半导体

N-channel 50A - 600V - ISOTOP Ultra fast switching PowerMESHTM IGBT

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意法半导体

N-channel 600V - 55A - TO-247

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意法半导体

STGY50NC60WD产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    STGY50NC60WD

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 600V 65A N-Channel

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-9-30 20:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST(意法)
24+
NA/
8735
原厂直销,现货供应,账期支持!
ST
21+
TO-247
600
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
ST/意法半导体
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原厂封装
10280
原厂授权代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源!
ST/意法
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TO-247
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中联芯只做原装
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16900
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独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证
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原厂封装
9800
原装进口公司现货假一赔百
ST
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TO-247
15621
ST(意法)
25+
TO-247-3
500000
源自原厂成本,高价回收工厂呆滞
ST/意法半导体
25+
原厂封装
10280

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