STGY50NC60WD价格

参考价格:¥55.0103

型号:STGY50NC60WD 品牌:STMicroelectronics 备注:这里有STGY50NC60WD多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,STGY50NC60WD批发/采购报价,STGY50NC60WD行情走势销售排行榜,STGY50NC60WD报价。
型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
STGY50NC60WD

Trench and Field Stop IGBT

DESCRIPTION ·Low Saturation Voltage:VCE(sat)=2.5V@IC=40A ·High Current Capability ·High Input Impedance ·Fast Swithching ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS ·Synchronous Rectification in SMPS ·Automotive Chargers ·UPS,PFC ·Hig

ISC

无锡固电

STGY50NC60WD

封装/外壳:TO-247-3 包装:管件 描述:IGBT 600V 110A 278W MAX247 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

STMICROELECTRONICS

意法半导体

STGY50NC60WD

N-channel 600V - 50A - Max247 Very fast PowerMESH IGBT

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STMICROELECTRONICS

意法半导体

N-channel 600V - 50A - Max247 Very fast PowerMESH IGBT

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STMICROELECTRONICS

意法半导体

N-channel 50A - 600V - ISOTOP Very fast PowerMESTM IGBT

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STMICROELECTRONICS

意法半导体

N-channel 50A - 600V - ISOTOP Ultra fast switching PowerMESHTM IGBT

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STMICROELECTRONICS

意法半导体

N-channel 600V - 55A - TO-247

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意法半导体

STGY50NC60WD产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    STGY50NC60WD

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 600V 65A N-Channel

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-8-15 12:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST(意法)
2511
TO-247-3
4505
电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价
ST/意法
24+
TO-247
12500
中联芯只做原装
ST/意法
23+
SMD
11200
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO
ST
21+
TO-247
1200
十年信誉,只做原装,有挂就有现货!
ST(意法)
23+
NA
20094
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持
ST/意法半导体
25+
原厂封装
9999
ST
22+
TO-247
8652
原装现货,假一罚十
ST/意法半导体
25+
原厂封装
10280
原厂授权代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源!
ST
22+
MAX247?
9000
原厂渠道,现货配单
ST/意法
22+
N
28000
原装现货只有原装.假一罚十

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