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STGD6NC60HT4

N-channel 600V - 7A - DPAK Very fast PowerMESH TM IGBT

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STMICROELECTRONICS

意法半导体

STGD6NC60HT4

封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 包装:管件 描述:IGBT 600V 15A 56W DPAK 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

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意法半导体

N-channel 600V - 7A - D2PAK Very fast PowerMESH TM IGBT

文件:326.79 Kbytes Page:14 Pages

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意法半导体

STGD6NC60HT4产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    STGD6NC60HT4

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 PowerMESH" IGBT

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-8-13 16:48:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST/意法
22+
N
28000
原装现货只有原装.假一罚十
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23+
原厂原封
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正规渠道,只有原装!
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TO-
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原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO
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25+
原厂原封
16900
原装,请咨询
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22+
DPak
9000
原厂渠道,现货配单
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24+
TO252DPAK
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