STGB18N40LZT4价格

参考价格:¥5.1488

型号:STGB18N40LZT4 品牌:STMicroelectronics 备注:这里有STGB18N40LZT4多少钱,2024年最近7天走势,今日出价,今日竞价,STGB18N40LZT4批发/采购报价,STGB18N40LZT4行情走势销售排行榜,STGB18N40LZT4报价。
型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
STGB18N40LZT4

EAS180mJ-400V-internallyclampedIGBT

Description Thisapplication-specificIGBTutilizesthemostadvancedPowerMESH™technology.Thebuilt-inZenerdiodesbetweengate-collectorandgate-emitterprovideovervoltageprotectioncapabilities.Thedevicealsoexhibitslowon-statevoltagedropandlowthresholddriveforuseinautomot

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STGB18N40LZT4

Automotive-grade390VinternallyclampedIGBTESCIS180mJ

Description Thisapplication-specificIGBTutilizesthemostadvancedPowerMESHtechnology optimizedforcoildrivingintheharshenvironmentofautomotiveignitionsystems. Thedeviceshowverylowon-statevoltageandveryhighSCISenergycapabilityover awideoperatingtemperaturerange.

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STGB18N40LZT4

封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB 包装:管件 描述:IGBT 420V 30A 150W D2PAK 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

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EAS180mJ-400V-internallyclampedIGBT

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EAS180mJ-390V-internallyclampedIGBT

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STGB18N40LZT4产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    STGB18N40LZT4

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 EAS 180 mJ-400 V

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2024-6-6 14:18:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST/意法
2122+
29860
全新原装正品,价格优势一片起售,可做含税
ST-意法半导体
24+25+/26+27+
TO-263-3
9328
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库
ST
20+
TO263
25000
全新原装现货,假一赔十
ST/意法
2020+
NA
80000
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增
STMicroelectronics
18+
NA
3539
进口原装正品优势供应QQ3171516190
ST/意法
23+
TO-263
10000
专营ST原装实单来谈
STMicroelectronics
24+
TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片
30000
晶体管-分立半导体产品-原装正品
ST/意法
23+
TO263
16393
原装优势公司现货!
ST/意法
24+
NA
860000
明嘉莱只做原装正品现货
ST
22+
TO-263
15000
原装优质现货订货渠道商

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