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STGB18N40LZT4中文资料

厂家型号

STGB18N40LZT4

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18

功能描述

EAS 180 mJ - 400 V - internally clamped IGBT

IGBT 晶体管 EAS 180 mJ-400 V

数据手册

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生产厂商

STMICROELECTRONICS

STGB18N40LZT4产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    STGB18N40LZT4

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 EAS 180 mJ-400 V

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-10-6 13:28:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
STMICROELECTRONICS
24+
NA
21000
原装现货,专业配单专家
STMICROELECTRONICS
21+
标准封装
100
保证原装正品,需要联系张小姐 13544103396 微信同号
STMICROELECTRONICS
22+
N/A
2500
进口原装,优势现货
STMICROELECTRONICS
2023+
SMD
3882
安罗世纪电子只做原装正品货
STMICROELECTRONICS
937
STMICROELECTRONICS
2322
con
933
现货常备产品原装可到京北通宇商城查价格
STMicroelectronics
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进口原装正品优势供应
ST(意法半导体)
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TO-263
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STGB18N40LZT4 价格

参考价格:¥5.1488

型号:STGB18N40LZT4 品牌:STMicroelectronics 备注:这里有STGB18N40LZT4多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,STGB18N40LZT4批发/采购报价,STGB18N40LZT4行情走势销售排排榜,STGB18N40LZT4报价。